公开(公告)号：CN117832242A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410049115.3

申请日：2024-01-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵品园 ,  张钰 ,  林桢威 ,  戴凌涛

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/771

Abstract: 本发明公开了一种梯度埋沟型传输栅CMOS图像传感器像素，其中浅沟槽隔离位于衬底最左端，自钳位光电二极管位于浅沟槽隔离右侧，自钳位光电二极管与浮动扩散节点均位于衬底上，传输栅固定于衬底上表面，正对自钳位光电二极管与浮动扩散节点之间；自钳位光电二极管通过传输栅与浮动扩散节点连接，浮动扩散节点另一端连接复位管的源极和源跟随器的栅极；源跟随器和复位管的漏极均连接在偏置电压VDD上，源跟随器的源极连接行选管的漏极，行选管的源极即为信号的列级输出。本发明有效减少浮动扩散节点区域电子的回流，削弱图像拖影现象，提升电荷转移效率。

公开(公告)号：CN308630990S

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202330785380.4

申请日：2023-11-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Designer： 赵品园 ,  张钰

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：照相机镜头。
2.本外观设计产品的用途：用于照相机镜头。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。