公开(公告)号：CN117134723A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311091783.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张志维 ,  朱海鹏 ,  骆俊毅

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/56

Abstract: 本发明涉及一种极简负载调制功率放大器及其设计方法。本发明包括晶体管、输出匹配网络、基波输入匹配网络、二次谐波输入匹配网络、栅极偏置网络和漏极偏置网络。基波输入匹配网络、二次输入谐波匹配网络和栅极偏置网络并联在晶体管D1的栅极；漏极偏置网络和输出匹配网络并联在晶体管D1的漏极；晶体管D1的源极接地。本发明根据期望功率回退值，设置晶体管的导通角的大小(即直流偏置状态)和二次谐波输入功率。通过使用一个晶体管构建一路功率放大器电路，并创造性地在功率回退处利用输入到栅极的二次谐波功率调制漏极的负载阻抗，从而使得功率放大器在功率回退处提前进入到电压饱和状态，从而获得高的功率回退效率。

公开(公告)号：CN118449384A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410422300.2

申请日：2024-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张志维 ,  周登发 ,  王晨璐 ,  张露玉 ,  朱海鹏 ,  骆俊毅

IPC: H02M7/217 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  G06F30/367 ,  H02J50/20

Abstract: 本发明涉及一种晶体管基射频整流器工作带宽的拓展方法。本发明基于GaN HEMT晶体管构建射频整流器，采用逆F类模式作为整流器的工作模式，通过建立整流效率与栅极输入二次谐波分量之间的关系，得到晶体管基整流器的整流效率对于输入二次谐波分量不敏感的特性；从而得到对应这些输入二次谐波分量的扩张的阻抗设计空间，进而拓展晶体管基整流器的工作带宽。