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公开(公告)号：CN118449384A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410422300.2
申请日：2024-04-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M7/217 , H01L21/335 , H01L29/778 , G06F30/367 , H02J50/20
Abstract: 本发明涉及一种晶体管基射频整流器工作带宽的拓展方法。本发明基于GaN HEMT晶体管构建射频整流器，采用逆F类模式作为整流器的工作模式，通过建立整流效率与栅极输入二次谐波分量之间的关系，得到晶体管基整流器的整流效率对于输入二次谐波分量不敏感的特性；从而得到对应这些输入二次谐波分量的扩张的阻抗设计空间，进而拓展晶体管基整流器的工作带宽。
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