公开(公告)号：CN118449384A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410422300.2

申请日：2024-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张志维 ,  周登发 ,  王晨璐 ,  张露玉 ,  朱海鹏 ,  骆俊毅

IPC: H02M7/217 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  G06F30/367 ,  H02J50/20

Abstract: 本发明涉及一种晶体管基射频整流器工作带宽的拓展方法。本发明基于GaN HEMT晶体管构建射频整流器，采用逆F类模式作为整流器的工作模式，通过建立整流效率与栅极输入二次谐波分量之间的关系，得到晶体管基整流器的整流效率对于输入二次谐波分量不敏感的特性；从而得到对应这些输入二次谐波分量的扩张的阻抗设计空间，进而拓展晶体管基整流器的工作带宽。

公开(公告)号：CN116388585A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310382569.8

申请日：2023-04-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张志维 ,  朱海鹏 ,  张睿哲 ,  轩雪飞

IPC: H02M7/217 ,  H02M1/14 ,  H02J1/02

Abstract: 本发明涉及一种输入谐波调谐的整流效率增强型射频整流器及其设计方法。本发明输出匹配网络用于将晶体管的最优负载阻抗匹配到标准的负载阻抗。输入谐波调谐网络用于调谐输入到晶体管栅极的二次谐波分量至最优的状态(即能达到最大整流效率的状态)。相位偏移网络用于维持栅极和漏极之间的最优相位差，以获得最大化的整流效率。通过使用GaN HEMT晶体管构建射频整流器电路，并创造性地利用输入谐波调谐机制来实现输入谐波对于晶体管输出状态的影响，进而达到提高整流器整流效率的目的。调谐晶体管栅极端的输入二次谐波使得晶体管输出漏极端的电流波形产生重塑，进一步提升了整流器的整流效率。

公开(公告)号：CN117134723A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311091783.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张志维 ,  朱海鹏 ,  骆俊毅

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/56

Abstract: 本发明涉及一种极简负载调制功率放大器及其设计方法。本发明包括晶体管、输出匹配网络、基波输入匹配网络、二次谐波输入匹配网络、栅极偏置网络和漏极偏置网络。基波输入匹配网络、二次输入谐波匹配网络和栅极偏置网络并联在晶体管D1的栅极；漏极偏置网络和输出匹配网络并联在晶体管D1的漏极；晶体管D1的源极接地。本发明根据期望功率回退值，设置晶体管的导通角的大小(即直流偏置状态)和二次谐波输入功率。通过使用一个晶体管构建一路功率放大器电路，并创造性地在功率回退处利用输入到栅极的二次谐波功率调制漏极的负载阻抗，从而使得功率放大器在功率回退处提前进入到电压饱和状态，从而获得高的功率回退效率。

公开(公告)号：CN116366007A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310404529.9

申请日：2023-04-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张志维 ,  张睿哲 ,  朱海鹏 ,  轩雪飞

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种负载调制多模融合功率放大器及其设计方法，涉及无线通讯技术领域。本发明通过在传统的平衡类功率放大器的基础上引入X‑dB正交耦合器构成非平衡类功率放大器，同时引入第三路功率放大电路作为负载调制的信号来源。通过控制负载调制信号的幅度和相位特性使构成的功率放大器具有负载调制特性从而实现大的功率回退范围。此外，利用负载调制信号产生支路作为载波功放，非平衡式放大器支路分别作为峰值功放1和峰值功放2，从而构成了类似于三路Doherty式的负载调制特征，使得所提出的功率放大器架构同时具备多路Doherty和非负载平衡调制的多重负载调制融合的特性，进一步地拓展了功率回退的范围。