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公开(公告)号：CN102097482A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010617144.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第一低阻多晶硅栅与轻掺杂漂移区之间设置有纵向栅氧化层。在轻掺杂漂移区顶部设置有阱区和槽氧区，阱区内设置有两个源极和欧姆接触区，槽氧区内嵌入第二低阻多晶硅栅。器件上部设置有三个场氧化层以及金属层。本发明在阱区与漂移区间引入浅槽栅，增加一条纵向导电沟道，提高了器件的跨导和通态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，改善了器件的耐高温特性和耐压性能，提高了器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097482B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010617144.3
申请日：2010-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第一低阻多晶硅栅与轻掺杂漂移区之间设置有纵向栅氧化层。在轻掺杂漂移区顶部设置有阱区和槽氧区，阱区内设置有两个源极和欧姆接触区，槽氧区内嵌入第二低阻多晶硅栅。器件上部设置有三个场氧化层以及金属层。本发明在阱区与漂移区间引入浅槽栅，增加一条纵向导电沟道，提高了器件的跨导和通态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，改善了器件的耐高温特性和耐压性能，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102130061B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110001092.1
申请日：2011-01-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有双纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现双纵向槽栅结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在n+源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。本方法采用现有SOI CMOS VLSI工艺技术，在稍微增加工艺复杂度与工艺成本条件下，使集成功率与射频SOI LDMOS器件的电学与热学性能得到显著改善，有利于节省资源、能源和保护环境。
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公开(公告)号：CN102130061A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110001092.1
申请日：2011-01-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有双纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现双纵向槽栅结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在n+源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。本方法采用现有SOI CMOSVLSI工艺技术，在稍微增加工艺复杂度与工艺成本条件下，使集成功率与射频SOI LDMOS器件的电学与热学性能得到显著改善，有利于节省资源、能源和保护环境。
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公开(公告)号：CN113536534A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110632648.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种地下多层介质涂层导体圆柱的隐身设计方法，以圆柱波函数为基础提出了一种埋在地下多层介质涂层导体圆柱的电磁散射的解析解，第一次给出了计算结果，并基于遗传算法，实现了地下多层涂层导体圆柱隐身。在选取材料方面选取了更容易实现的各向同性材料，通过遗传算法进行优化，得到最优的材料和涂层厚度，从而使涂层圆柱在地面的散射强度最小。本发明适用于精确、快速的计算地下涂层柱体目标的散射特性，并拓宽了圆柱隐身的应用场合。本发明方法与其他方法相比较，有精确，快速，高效的求解柱类目标的电磁散射特性，并具有可以有效实现电磁隐身的效果。
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公开(公告)号：CN201946602U
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201020692833.6
申请日：2010-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第一低阻多晶硅栅与轻掺杂漂移区之间设置有纵向栅氧化层。在轻掺杂漂移区顶部设置有阱区和槽氧区，阱区内设置两个源极和欧姆接触区，槽氧区内嵌入第二低阻多晶硅栅。器件上部设置有三个场氧化层以及金属层。本实用新型在阱区与漂移区间引入浅槽栅，增加一条纵向导电沟道，提高了器件的跨导和通态电流，降低了通态电阻和通态压降，降低了通态功耗，改善了器件耐高温特性和耐压性能，提高了器件的可靠性。
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