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公开(公告)号：CN103743330A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310750794.9
申请日：2013-12-30
IPC: G01B7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于互电容测量原理的梳齿式柱面电容传感器。结构组成由外到内依次为传感器外壳、绝缘基质层和结构相同的四组互电容测量单元。四组互电容测量单元沿绝缘基质层内圆周向等距分布，每组由第一、第二梳齿式电容极板构成。传感器用于高精密轴系转子的径向运动误差测量，作为定子同轴安装于被测转子外。测量时，转子产生的径向跳动将引起对应互电容测量单元总体电容值的改变，通过对电容值测量并进行合理的数学运算，可得到被测转子的径向跳动位移值。本发明采用互电容测量原理，转子只作为被测对象而不含在传感器的结构配置中，简化了传感器的配置形式，更加适合于转子运动误差的动态实时测量，同时对被测转子构成材料无特殊要求。
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公开(公告)号：CN107390643B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710721916.X
申请日：2017-08-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/416
Abstract: 本发明涉及一种急动速度线性连续的数控装置高速进给加减速方法。本发明通过引入急动速度变化率，并以此为基础构建线性连续的急动速度，其特征是将整个加减速过程划分为15个阶段，其中前7个阶段为加速阶段、后7个阶段为减速阶段，中间为恒速阶段。根据数控装置的动力学特性参数：急动速度、加速度及最大速度限，将数控装置加减速过程划分为含有恒加速阶段及不含恒加速阶段，然后结合数控装置实际进给行程规划进给速度。本发明可获得急动速度线性变化的柔性进给速度，抑制高速进给执行件对数控装置支承部件造成的振动和冲击，提高轮廓高速加工精度。
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公开(公告)号：CN107390643A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710721916.X
申请日：2017-08-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/416
Abstract: 本发明涉及一种急动速度线性连续的数控装置高速进给加减速方法。本发明通过引入急动速度变化率，并以此为基础构建线性连续的急动速度，其特征是将整个加减速过程划分为15个阶段，其中前7个阶段为加速阶段、后7个阶段为减速阶段，中间为恒速阶段。根据数控装置的动力学特性参数：急动速度、加速度及最大速度限，将数控装置加减速过程划分为含有恒加速阶段及不含恒加速阶段，然后结合数控装置实际进给行程规划进给速度。本发明可获得急动速度线性变化的柔性进给速度，抑制高速进给执行件对数控装置支承部件造成的振动和冲击，提高轮廓高速加工精度。
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公开(公告)号：CN103743330B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201310750794.9
申请日：2013-12-30
IPC: G01B7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于互电容测量原理的梳齿式柱面电容传感器。结构组成由外到内依次为传感器外壳、绝缘基质层和结构相同的四组互电容测量单元。四组互电容测量单元沿绝缘基质层内圆周向等距分布，每组由第一、第二梳齿式电容极板构成。传感器用于高精密轴系转子的径向运动误差测量，作为定子同轴安装于被测转子外。测量时，转子产生的径向跳动将引起对应互电容测量单元总体电容值的改变，通过对电容值测量并进行合理的数学运算，可得到被测转子的径向跳动位移值。本发明采用互电容测量原理，转子只作为被测对象而不含在传感器的结构配置中，简化了传感器的配置形式，更加适合于转子运动误差的动态实时测量，同时对被测转子构成材料无特殊要求。
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公开(公告)号：CN203758448U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201320889756.7
申请日：2013-12-30
IPC: G01B7/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于互电容测量原理的梳齿式柱面电容传感器。结构组成由外到内依次为传感器外壳、绝缘基质层和结构相同的四组互电容测量单元。四组互电容测量单元沿绝缘基质层内圆周向等距分布，每组由第一、第二梳齿式电容极板构成。传感器用于高精密轴系转子的径向运动误差测量，作为定子同轴安装于被测转子外。测量时，转子产生的径向跳动将引起对应互电容测量单元总体电容值的改变，通过对电容值测量并进行合理的数学运算，可得到被测转子的径向跳动位移值。本实用新型采用互电容测量原理，转子只作为被测对象而不含在传感器的结构配置中，简化了传感器的配置形式，更加适合于转子运动误差的动态实时测量，同时对被测转子构成材料无特殊要求。
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