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公开(公告)号：CN114510976B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210137383.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F18/213 , G06F18/10
Abstract: 本发明实施例提供一种基于双变量阈值函数的呼吸信号去噪方法及装置，所述方法包括：采集用户的呼吸信号，选取对应的小波基函数；结合软硬阈值函数，综合确定对应的新阈值函数，设定新阈值函数中的双变量参数；确定小波分解的层数，对呼吸信号进行小波分解，得到低频小波信号以及每一层的高频小波系数；计算对应的阈值，将阈值及高频小波系数代入到新阈值函数、软硬阈值函数中进行对比，将小于本层的阈值的高频小波系数进行置零，大于本层的阈值的高频小波系数保留，得到新高频小波系数；进行信号重构，得到去噪后的呼吸信号。采用本方法能够避免信号重构时可能产生的误差，并且双变量也提高了去噪的灵活性，综合提高了信号的去噪效果。
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公开(公告)号：CN114510976A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210137383.1
申请日：2022-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明实施例提供一种基于双变量阈值函数的呼吸信号去噪方法及装置，所述方法包括：采集用户的呼吸信号，选取对应的小波基函数；结合软硬阈值函数，综合确定对应的新阈值函数，设定新阈值函数中的双变量参数；确定小波分解的层数，对呼吸信号进行小波分解，得到低频小波信号以及每一层的高频小波系数；计算对应的阈值，将阈值及高频小波系数代入到新阈值函数、软硬阈值函数中进行对比，将小于本层的阈值的高频小波系数进行置零，大于本层的阈值的高频小波系数保留，得到新高频小波系数；进行信号重构，得到去噪后的呼吸信号。采用本方法能够避免信号重构时可能产生的误差，并且双变量也提高了去噪的灵活性，综合提高了信号的去噪效果。
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公开(公告)号：CN111355007A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010094365.0
申请日：2020-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种Y3Fe5O12磁子波导自旋波带通滤波器及其调控方法。带通滤波器主体材料由Y3Fe5O12绝缘体材料制成，包括输入天线、输入缓冲部、磁子晶体部、输出缓冲部和输出天线，其中，所述磁子晶体部由若干个周期性单元组成，每个周期性单元的倾斜角度可变，通过不同角度周期性单元组合构成带通滤波器；自旋波由所述输入天线激发，经输入缓冲部向磁子晶体部输入，磁子晶体部调制自旋波信号，再经所述输出缓冲部传输给输出天线，将滤波后的自旋波信号输出。本发明通过在该带通滤波器上添加外磁场并调节其大小和方向实现了调控自旋波传播性能的功能。
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公开(公告)号：CN105669181B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610022401.6
申请日：2016-01-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种致密的小晶粒YIG陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将氧化铁和氧化钇粉末以及适量酒精置于球磨机中湿法球磨，得到浆料；将浆料置于恒温箱内烘干，在研钵中研磨得到粉料；将粉料在1100℃‑1200℃的高温下预烧；将预烧后的粉料再次进行湿法球磨，得到浆料；再次将浆料烘干，研磨成粉料；将粉料造粒成型，得到生坯；排除生坯中的PVA；对生坯进行烧结，将生坯快速加热到一个较高的温度T1，迅速降温到一个较低的温度T2并保温一段时间，之后自然降温得到YIG陶瓷；本发明制备方法简单，生产成本低，易于实现工业化生产；所制备的YIG陶瓷在致密性、晶粒尺寸、饱和磁化强度等参数明显好于采用传统方法制备的YIG陶瓷，能够满足较高的应用要求。
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公开(公告)号：CN117198367A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310957394.9
申请日：2023-08-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种利用黄金分割搜索法优化3DNAND闪存开放块特性的方法，包括设定搜索区间[a,b]，针对开放块特性的电压状态分布负向偏移问题，偏移量最大值a为‑128，默认参考电压处于b为0的位置；设定收敛精度d，用于约束搜索结束条件，若设置d为1表示当区间长度收缩至1时则结束搜索；初始化收缩系数r为0.618，该值为黄金分割点，再将最小值点X初始为默认参考电压位置；计算偏移量，并向下取整；区间收缩循环；判断收缩后的区间[a,b]是否小于或等于收敛精度d；否，则返回上步；是，则输出a和b两点中错误数较小的点。本发明分析边缘WL的高原始误码率和原理，并基于黄金分割法提出一种优化读电压方案，降低边缘WL原始误码率，提高开放块的数据可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111355007B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202010094365.0
申请日：2020-02-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种Y3Fe5O12磁子波导自旋波带通滤波器及其调控方法。带通滤波器主体材料由Y3Fe5O12绝缘体材料制成，包括输入天线、输入缓冲部、磁子晶体部、输出缓冲部和输出天线，其中，所述磁子晶体部由若干个周期性单元组成，每个周期性单元的倾斜角度可变，通过不同角度周期性单元组合构成带通滤波器；自旋波由所述输入天线激发，经输入缓冲部向磁子晶体部输入，磁子晶体部调制自旋波信号，再经所述输出缓冲部传输给输出天线，将滤波后的自旋波信号输出。本发明通过在该带通滤波器上添加外磁场并调节其大小和方向实现了调控自旋波传播性能的功能。
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公开(公告)号：CN105669181A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610022401.6
申请日：2016-01-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种致密的小晶粒YIG陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将氧化铁和氧化钇粉末以及适量酒精置于球磨机中湿法球磨，得到浆料；将浆料置于恒温箱内烘干，在研钵中研磨得到粉料；将粉料在1100℃-1200℃的高温下预烧；将预烧后的粉料再次进行湿法球磨，得到浆料；再次将浆料烘干，研磨成粉料；将粉料造粒成型，得到生坯；排除生坯中的PVA；对生坯进行烧结，将生坯快速加热到一个较高的温度T1，迅速降温到一个较低的温度T2并保温一段时间，之后自然降温得到YIG陶瓷；本发明制备方法简单，生产成本低，易于实现工业化生产；所制备的YIG陶瓷在致密性、晶粒尺寸、饱和磁化强度等参数明显好于采用传统方法制备的YIG陶瓷，能够满足较高的应用要求。
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公开(公告)号：CN118364480A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410272773.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有移动充电功能的加密存储设备。该设备包括桥控制器、存储控制器、充放电控制电路、锂电池电芯堆、EMMC闪存、显示屏、矩阵键盘，USB数据传输口，Type‑C充放电口，USB放电口。所述具有移动充电功能的加密存储设备具有公开分区和安全分区两个存储区。在没有按下正确的密码时，主机只能访问公开分区，避免了安全分区内的数据泄露。当按下安全分区的正确密码后，主机就可以访问安全分区。由于锂电池电芯堆具备给桥控制器供电的能力，允许用户先按下正确的密码后再插入主机。本发明能给接入Type‑C充放电口及USB放电口的设备供电，起到移动电源的作用。同时显示屏能够显示存储容量及电源电量。
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公开(公告)号：CN117236237A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310956524.7
申请日：2023-08-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/327
Abstract: 本发明公开了一种对芯片进行版本号记录及修改的方法，当某一金属层改变，需要对芯片的版本号进行修改时，将此金属层对应的逻辑门的两个输入与电源或地的连接关系进行改变，得到一个新的输出，即更新版本号；逻辑门的输入向上连接到对应的金属层时，在中间经过的金属层上由金属线构成，两层金属层之间的通孔层改变时，在不影响这两层金属层的情况下，通过只改变通孔的位置来改变逻辑门两输入与电源和地的连接关系。本发明利用芯片本身spare cell的情况下来完成，不会造成芯片资源的浪费，且在金属层上和通孔层上需要进行修改时绕线方式及通孔更改位置方式简单，不会使本层上的绕线资源变得紧张。
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公开(公告)号：CN104167584B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410400263.1
申请日：2014-08-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型结构集成微带薄膜环形器，属于电子技术领域；其结构包括微波介质基片、金属底电极、铁磁薄膜、微带环形器Y结和硬磁；其特征为金属底电极位于铁磁薄膜与微波介质基片之间。本发明大大降低了微波介质基片对环形器性能的影响，提高了环形器的工作带宽；同时使用铁磁薄膜取代了传统的铁磁块材，降低了器件的重量与体积，提高了器件的集成化。
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