公开(公告)号：CN117819471A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311844509.X

申请日：2023-12-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  王珊 ,  刘超然 ,  杨伟煌

IPC: B81C1/00 ,  G01L1/18 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请公开了一种阵列的MEMS压阻式触觉传感器封装设计方法，包括以下步骤：在玻璃基板上制造出与阵列的MEMS压阻式触觉传感器上焊盘等大小、等间距的通孔，通孔填入导电金属材料；将触觉传感器倒装在玻璃基板，实现触觉传感器与玻璃基板下集成ASIC芯片电气通信。在硅衬底上制备出力传递微结构盖帽、固定框架；倒模出可产生变形的弹性结构；将力传递微结构盖帽和固定框架接合在一起，完成上层盖板制备；将上层盖板和MEMS压阻式触觉传感器对准键合。实现外部作用力与MEMS压阻式触觉传感器之间间接软接触，外部作用力通过力传递微结构盖帽，可以将力精准传递到阵列的MEMS压阻式触觉传感器的敏感元件上。

公开(公告)号：CN117842928A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410048449.9

申请日：2024-01-12

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董林玺 ,  王珊 ,  刘超然 ,  高宇 ,  颜海霞

IPC: B81C1/00

Abstract: 本申请公开了一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法，包括以下步骤：采用MEMS工艺，制造出玻璃基板、阵列的MEMS压阻式触觉传感器以及上层封装结构；在该封装设计中，压阻式触觉传感器封装结构被设计为三明治式结构，将压阻式触觉传感器放置在上层封装结构和玻璃基板中间；将压阻式触觉传感器上表面倒装于带通孔的玻璃基板上表面，完成对压阻式触觉传感器上表面封装；将压阻式触觉传感器下表面与设计出的上层封装结构对准键合，完成对压阻式触觉传感器下表面封装；经过上述封装设计步骤，提高了阵列的MEMS压阻式触觉传感器的灵敏度和线性度，并且实现了对阵列的MEMS压阻式触觉传感器防护。