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发明公开
一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法审中-实审

公开(公告)号：CN115451929A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202211096122.6

申请日：2022-09-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘超然 , 郭礼康 , 杨勋 , 郑驰霖 , 江迪莎 , 董林玺 , 王高峰

IPC: G01C19/00 , B81C1/00 , B81B3/00

Abstract: 本发明涉及一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法。硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片的顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极；SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至氧化层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝；悬空的氮化硅薄膜上设置栅极，栅极用于调制硅纳米线沟道的载流子浓度，即调节硅纳米线沟道的电导，进而寻找出器件的最佳工作点。

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