一种能够被蓝光激发的宽带近红外发射荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN112961677B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110151191.1

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种能够被蓝光激发的宽带近红外发射荧光粉及其制备方法。该荧光粉具有如下化学表达式:(Ba1‑xSmx)Al10O16(AlN)y,其中,x为0.01~0.2,y为0.5~1.5。本发明所得宽带近红外发射荧光粉具有宽的激发带宽,覆盖了紫外、紫光和蓝光区域,激发峰位于467nm附近,且激发光谱峰值高,可以作为紫外、紫光和蓝光激发的宽带近红外发射荧光粉;该荧光粉分散性好、颗粒度均匀、化学稳定性好和发光效率高;同时采用本发明公开的化学表示式中所含金属离子的卤化物为助熔剂,降低烧结温度。

    一种能够被蓝光激发的宽带近红外发射荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN112961677A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202110151191.1

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种能够被蓝光激发的宽带近红外发射荧光粉及其制备方法。该荧光粉具有如下化学表达式:(Ba1‑xSmx)Al10O16(AlN)y,其中,x为0.01~0.2,y为0.5~1.5。本发明所得宽带近红外发射荧光粉具有宽的激发带宽,覆盖了紫外、紫光和蓝光区域,激发峰位于467nm附近,且激发光谱峰值高,可以作为紫外、紫光和蓝光激发的宽带近红外发射荧光粉;该荧光粉分散性好、颗粒度均匀、化学稳定性好和发光效率高;同时采用本发明公开的化学表示式中所含金属离子的卤化物为助熔剂,降低烧结温度。

    一种近红外发射增强的Ga2O3:Cr3+发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115595152B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202211288553.2

    申请日:2022-10-20

    Abstract: 本发明公开一种近红外发射增强的Ga2O3:Cr3+发光材料及其制备方法,其化学式为Ga2‑x‑2yO3:xCr3+,yM+,yP5+,其中M为Li、Na、K中任意一种,0.01≤x≤0.1,0.1≤y≤0.5。其制备方法采用高温固相法。本发明的优点是:通过在原料中加入碱金属离子(Li、Na、K中任意一种)和磷离子(P5+),能明显提高Ga2O3:Cr3+的发光强度。该发光材料是一种单基质荧光材料,在近紫外至蓝光激发下,发射光谱为峰值波长位于712纳米的近红外宽带光谱,可应用于宽带近红外光源光色转换材料,提高器件的光色转换效率。本发明的制备方法工艺简单、技术成熟、成本低廉,有益于实现工业化生成。

    一种铕锰离子共掺杂荧光粉及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115678555B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202211353515.0

    申请日:2022-11-01

    Abstract: 本发明公开一种Eu3+‑Mn4+共掺杂的荧光温度探针材料及其制备方法和应用,其化学通式为:Ca2Sb2O7:xmol%Eu3+,ymol%Mn4+,其中0.005≤x≤0.05,0.0005≤y≤0.008。利用高温固相法制备所得的具有正交结构的Ca2Sb2O7:Eu3+,Mn4+荧光粉在紫外光的激发下,可以产生位于725纳米的宽峰发射和位于613纳米的窄峰发射。在310纳米紫外光激发下,Eu3+表现出罕见的反热猝灭行为。根据来自于Mn4+的宽发射峰与Eu3+的窄发射峰强度的比值可对周围环境的温度进行标定。该材料的灵敏度性能相较于已报道的其他荧光材料已有显著的提升。同时,Eu3+与Mn4+在紫外光激发下产生的位于725纳米的宽发射峰和位于613纳米的窄发射峰分别对应着植物生长所必需的叶绿素a和叶绿素f。

    红外非相干LED激发的上转换NaLuF4玻璃陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108409148B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201810214494.1

    申请日:2018-03-15

    Inventor: 李心悦 陈大钦

    Abstract: 本发明公开了一种红外非相干LED激发的上转换NaLuF4玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷在玻璃基体中均匀镶嵌了六方相NaLuF4纳米晶颗粒。本发明的玻璃陶瓷中玻璃组分与百分含量(mol%)为:50‑75mol%SiO2;1‑15mol%Al2O3;5‑30mol%Na2O;5‑25mol%NaF;5‑15mol%LuF3;0.01‑2mol%YbF3;0.001‑2mol%ReF3(Re=Er,Tm,Ho)。上述玻璃陶瓷采用熔体冷却法和后续晶化热处理制备。本发明的玻璃陶瓷可在红外非相干LED芯片激发下实现稀土离子的上转换发射,可开发应用于构建红外芯片激发的上转换发光玻璃陶瓷。

    大功率LED照明用自还原Eu2+掺杂NaAlSiO4玻璃陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114349350A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111053733.8

    申请日:2021-09-01

    Inventor: 李心悦 陈大钦

    Abstract: 本发明公开了大功率LED照明用自还原Eu2+掺杂NaAlSiO4玻璃陶瓷及其制备方法。本发明的玻璃陶瓷中玻璃组分百分含量(mol%)为:30‑60mol%SiO2;0‑40mol%Al2O3;0‑40mol%Na2O;0‑20mol%K2O;0‑30mol%NaF;0‑15mol%YF3;0.01‑10mol%EuF3。上述玻璃陶瓷采用熔融冷却法和后续晶化热处理制备。该玻璃陶瓷在玻璃基体中均匀镶嵌了NaAlSiO4微晶颗粒,在近紫外光激发下表现出明亮的绿黄色发光,可开发应用于大功率LED照明的发光玻璃陶瓷。

    大功率LED照明用自还原Eu2+掺杂NaAlSiO4玻璃陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114349350B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202111053733.8

    申请日:2021-09-01

    Inventor: 李心悦 陈大钦

    Abstract: 本发明公开了大功率LED照明用自还原Eu2+掺杂NaAlSiO4玻璃陶瓷及其制备方法。本发明的玻璃陶瓷中玻璃组分百分含量(mol%)为:30‑60mol%SiO2;0‑40mol%Al2O3;0‑40mol%Na2O;0‑20mol%K2O;0‑30mol%NaF;0‑15mol%YF3;0.01‑10mol%EuF3。上述玻璃陶瓷采用熔融冷却法和后续晶化热处理制备。该玻璃陶瓷在玻璃基体中均匀镶嵌了NaAlSiO4微晶颗粒,在近紫外光激发下表现出明亮的绿黄色发光,可开发应用于大功率LED照明的发光玻璃陶瓷。

    红外非相干LED激发的上转换NaLuF4玻璃陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN108409148A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810214494.1

    申请日:2018-03-15

    Inventor: 李心悦 陈大钦

    CPC classification number: C03C10/16 C03B32/02 C03C3/112

    Abstract: 本发明公开了一种红外非相干LED激发的上转换NaLuF4玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷在玻璃基体中均匀镶嵌了六方相NaLuF4纳米晶颗粒。本发明的玻璃陶瓷中玻璃组分与百分含量(mol%)为:50-75mol%SiO2;1-15mol%Al2O3;5-30mol%Na2O;5-25mol%NaF;5-15mol%LuF3;0.01-2mol%YbF3;0.001-2mol%ReF3(Re=Er,Tm,Ho)。上述玻璃陶瓷采用熔体冷却法和后续晶化热处理制备。本发明的玻璃陶瓷可在红外非相干LED芯片激发下实现稀土离子的上转换发射,可开发应用于构建红外芯片激发的上转换发光玻璃陶瓷。

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