公开(公告)号：CN115595152A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211288553.2

申请日：2022-10-20

Applicant: 杭州电子科技大学(CN)

Inventor： 余华 ,  钟家松 ,  毛启楠 ,  邓德刚 ,  陈雷锋 ,  朱怡雯 ,  李心悦 ,  赵红挺

IPC: C09K11/68

Abstract: 本发明公开一种近红外发射增强的Ga2O3：Cr3+发光材料及其制备方法，其化学式为Ga2‑x‑2yO3：xCr3+，yM+，yP5+，其中M为Li、Na、K中任意一种，0.01≤x≤0.1，0.1≤y≤0.5。其制备方法采用高温固相法。本发明的优点是：通过在原料中加入碱金属离子(Li、Na、K中任意一种)和磷离子(P5+)，能明显提高Ga2O3：Cr3+的发光强度。该发光材料是一种单基质荧光材料，在近紫外至蓝光激发下，发射光谱为峰值波长位于712纳米的近红外宽带光谱，可应用于宽带近红外光源光色转换材料，提高器件的光色转换效率。本发明的制备方法工艺简单、技术成熟、成本低廉，有益于实现工业化生成。

公开(公告)号：CN115595152B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202211288553.2

申请日：2022-10-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 余华 ,  钟家松 ,  毛启楠 ,  邓德刚 ,  陈雷锋 ,  朱怡雯 ,  李心悦 ,  赵红挺

IPC: C09K11/68

Abstract: 本发明公开一种近红外发射增强的Ga2O3：Cr3+发光材料及其制备方法，其化学式为Ga2‑x‑2yO3：xCr3+，yM+，yP5+，其中M为Li、Na、K中任意一种，0.01≤x≤0.1，0.1≤y≤0.5。其制备方法采用高温固相法。本发明的优点是：通过在原料中加入碱金属离子(Li、Na、K中任意一种)和磷离子(P5+)，能明显提高Ga2O3：Cr3+的发光强度。该发光材料是一种单基质荧光材料，在近紫外至蓝光激发下，发射光谱为峰值波长位于712纳米的近红外宽带光谱，可应用于宽带近红外光源光色转换材料，提高器件的光色转换效率。本发明的制备方法工艺简单、技术成熟、成本低廉，有益于实现工业化生成。