-
公开(公告)号：CN113004032B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110178545.1
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息功能材料与器件技术领域，针对现有储能陶瓷材料的击穿场强和有效储能密度较低的问题，公开了一种类线性高储能高效率无铅弛豫陶瓷及其制备方法，该陶瓷的化学组成为(1‑x)CaTiO3‑x(BNT‑BAT)，其中0.15≤x≤0.6。包括：一次配料、一次球磨、烘干、压片预烧、二次配料、二次球磨、烘干、造粒成型、压制成生坯及排胶烧结等步骤，本发明首次将CaTiO3加入到BNT‑BAT储能材料中，并且获得了3.45‑5.48 J/cm3的储能密度和90.2%‑99.6%的储能效率，达到高击穿场强的同时获得高储能密度高效率，拓展了掺杂改性的研究方向，发现了更高性能储能陶瓷材料的作用原理。
-
公开(公告)号：CN113004032A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110178545.1
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息功能材料与器件技术领域，针对现有储能陶瓷材料的击穿场强和有效储能密度较低的问题，公开了一种类线性高储能高效率无铅弛豫陶瓷及其制备方法，该陶瓷的化学组成为(1‑x)CaTiO3‑x(BNT‑BAT)，其中0.15≤x≤0.6。包括：一次配料、一次球磨、烘干、压片预烧、二次配料、二次球磨、烘干、造粒成型、压制成生坯及排胶烧结等步骤，本发明首次将CaTiO3加入到BNT‑BAT储能材料中，并且获得了3.45‑5.48 J/cm3的储能密度和90.2%‑99.6%的储能效率，达到高击穿场强的同时获得高储能密度高效率，拓展了掺杂改性的研究方向，发现了更高性能储能陶瓷材料的作用原理。
-
公开(公告)号：CN112846222B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011600757.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法，包括以下步骤：1)称取硝酸铋溶于去离子水中，调节所形成的硝酸铋溶液浓度为：0.1～0.2mol/L；2)称取钨酸钠溶解于去离子水中，调节所形成的钨酸钠溶液浓度为：0.01～0.02mol/L；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中，调节钨酸钠和硝酸铋的摩尔比为1:1～1:2，搅拌后转移到高压反应釜中，用去离子水调节使体积占高压反应釜容积的2/3～4/5；4)将配置有反应物料的高压反应釜密闭，在120～140℃下保温14～20小时进行热处理；后降至室温，过滤，用去离子水、无水乙醇清洗，60℃～80℃温度下烘干后，转移至铜管中；5)将铜管填充0.3～0.4mPa的氢气并封闭，并转移至管式炉中，在330℃～350℃下处理2～3小时后，降至室温，制得花状Bi/Bi2WO6纳米材料。
-
公开(公告)号：CN112551575B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011595518.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi12O17Cl2纳米粉体的制备方法，其包括以下步骤：将硝酸铋溶于乙二醇形成硝酸铋溶液，将氯化铵溶解于去离子水形成氯化铵溶液，将硝酸铋溶液溶于氯化铵溶液并置入高压反应釜中，将配置有反应物料的反应釜密闭，在100‑160℃进行热处理，后冷却至室温，移除上清液，调节pH值，搅拌使得固体产物析出，烘干，得到Bi12O17Cl2纳米粉体。本发明制备方法操作简单，采用了常用的原料试剂，成本低廉。通过这种简单水热法制备的Bi12O17Cl2纳米粉体厚度不大于20nm，因此可以有效地增大材料的比表面积。
-
公开(公告)号：CN112850649B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011601059.8
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明铋氧溴纳米片的制备方法，包括：1)称取硝酸铋溶于乙二醇中，调节所形成的硝酸铋溶液浓度为：0.05～0.4mol/L；2)称取溴化铵溶解于去离子水中，调节所形成的溴化铵溶液浓度为：0.01～0.06mol/L；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得的溴化铵溶液中，调节其中氯化铵和硝酸铋的摩尔比为2:1～3:1，搅拌后转移到高压反应釜中；4)将反应釜密闭，在100～160℃下进行热处理，后降至室温，倒出上清液，调节pH值，搅拌后转移到高压反应釜中；5)将反应釜密闭，在80～100℃下保温8～12小时进行热处理，后降至室温，过滤，依次用去离子水、无水乙醇清洗，60℃～80℃温度下烘干，得到铋氧溴纳米片。本发明工艺过程简单，易于控制，无环境污染，成本低，易于规模化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112875755A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011604122.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钨酸铋纳米粉体的制备方法，其包括以下步骤：1)将硝酸铋溶于乙二醇中，形成硝酸铋溶液；2)将钨酸钠溶解于去离子水中，形成钨酸钠溶液；3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中，搅拌后转移到高压反应釜中；4)将配置有高压反应物料的反应釜密闭，进行热处理，后降至室温，过滤，依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到钨酸铋纳米粉体。本发明工艺过程简单，易于控制，无环境污染，成本低，易于规模化生产。产品质量稳定，纯度高，粉体颗粒分散性好。
-
公开(公告)号：CN112791720A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011621344.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于新材料制备技术领域，具体涉及一种用于催化材料氧空位制备的装置，包括反应腔体、真空泵、惰性气体罐、还原性气体罐和气体预混室，真空泵、反应腔体、惰性气体罐和还原性气体罐分别通过阀门与气体预混室连通；通过调节阀门，以使真空泵对反应腔体抽真空，并通过惰性气体清洗反应腔体，通入还原气体进入反应腔体，以实现氧空位制造；本发明将真空热处理和氧空位可控制备集中一起，大大缩短了材料处理的时间和步骤，可以制备出不同晶体结构的具有丰富氧空位的纳米光催化剂。
-
公开(公告)号：CN112678868A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011593060.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了Bi12O17Cl12/Bi2O2CO3复合纳米材料的制备方法：1)硝酸铋溶于乙二醇，溶液浓度为：0.1～0.2mol/L；2)取氯化铵溶解于去离子水，溶液浓度为：0.02～0.04mol/L；3)将硝酸铋溶液倒入氯化铵溶液，搅拌后转到高压反应釜，用去离子水调节使体积占反应釜容积的2/3～4/5；4)将反应釜密闭，在120～140℃下保温8～24小时；降至室温，移除上清液，加入盐酸、氢氧化钾调节pH，搅拌使得固体产物完全析出后，依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到Bi12O17Cl12纳米粉体；5)将纳米粉体移入球磨罐，加入氧化锆球磨珠球、乙二醇使体积占反球磨罐容积2/3～3/4后进行球磨，将所得粉末依次用去离子水、无水乙醇清洗，烘干，得到复合纳米材料。
-
公开(公告)号：CN110649243A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910937143.8
申请日：2019-09-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种超细磷掺杂多孔硅纳米材料的制备方法，包括以下步骤：将n型磷掺杂硅粉末与金属硅粉在不同温度下进行不完全合金化反应，然后利用合成的硅/硅镁合金混合物在一定温度下置于氧气/氩气混合气氛中热处理进行再分解，最后酸洗得到具有多孔结构和超细一次粒径的磷掺杂多孔硅纳米材料，本发明有效克服了传统纳米硅的高能耗球磨方法，且制备出一次粒径小于100nm的掺磷多孔硅材料，有利于解决硅电极充放电过程中的体积膨胀和导电性差等关键问题，作为负极材料应用于锂离子电池中，显著提高了锂离子电池的循环稳定性。
-
公开(公告)号：CN108493432A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810467525.4
申请日：2018-05-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多壁碳纳米管/硅和氧化硅/碳复合纳米材料的制备方法和应用，将经过酸蒸气处理的多壁碳纳米管溶解于溶剂中，调节溶液至碱性后，与正硅酸乙酯混合，反应后经离心干燥得到包覆二氧化硅的核壳结构材料，记为MWCNTs@SiO2；将MWCNTs@SiO2经镁热还原反应后，经后处理得到多壁碳纳米管/硅和氧化硅复合材料，记为MWCNTs@Si/SiOx；将MWCNTs@Si/SiOx加入反应容器，在惰性气氛下升温并通入乙炔气体，反应后在多壁碳纳米管/硅和氧化硅同轴纳米电缆表面沉积碳包覆层，记为MWCNTs@Si/SiOx@C。本发明制备过程简单、重复性好，有效解决了硅颗粒循环过程中的体积膨胀问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.021 seconds)
