公开(公告)号：CN103762241B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410005377.6

申请日：2014-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  李俊杰 ,  孟晓 ,  余育新 ,  宁祥 ,  陈紫菱 ,  王彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。

公开(公告)号：CN103354207A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310293465.6

申请日：2013-07-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  余育新 ,  洪玲伟 ,  孟晓 ,  李俊杰 ,  朱仁根 ,  章红芳

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种抗ESD集成SOILDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的成SOILDMOS器件系统重量大、成本高，且可靠性低。本发明采用五次氧化，九次光刻制作出具有集成抗ESD结构和功能的SOILDMOS器件单元。本发明在芯片面积成本稍有增加条件下使集成功率与射频SOILDMOS器件具有优良的集成抗ESD自我保护功能，显著改善SOILDMOS器件的自我抗ESD保护性能，减小采用该器件的各种电力电子系统的体积、重量和成本，并提高系统可靠性。

公开(公告)号：CN103354207B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310293465.6

申请日：2013-07-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  余育新 ,  洪玲伟 ,  孟晓 ,  李俊杰 ,  朱仁根 ,  章红芳

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种抗ESD集成SOI LDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的成SOI LDMOS器件系统重量大、成本高，且可靠性低。本发明采用五次氧化，九次光刻制作出具有集成抗ESD结构和功能的SOI LDMOS器件单元。本发明在芯片面积成本稍有增加条件下使集成功率与射频SOI LDMOS器件具有优良的集成抗ESD自我保护功能，显著改善SOI LDMOS器件的自我抗ESD保护性能，减小采用该器件的各种电力电子系统的体积、重量和成本，并提高系统可靠性。

公开(公告)号：CN103762241A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410005377.6

申请日：2014-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  李俊杰 ,  孟晓 ,  余育新 ,  宁祥 ,  陈紫菱 ,  王彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236

Abstract: 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI？LDMOS单元。常规SOI？LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI？LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。

公开(公告)号：CN203707141U

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201420006480.8

申请日：2014-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  李俊杰 ,  孟晓 ,  余育新 ,  宁祥 ,  陈紫菱

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型涉及一种集成梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元。常规SOILDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型由于将集成纵向沟道SOILDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。