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公开(公告)号：CN111079365B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201911278061.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种反正切三角函数压控忆阻器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1连接输入端，即忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现反相放大运算和积分运算，经过积分运算后将信号输出，最终求得控制忆导值的状态变量，集成运算放大器U2用于实现加法运算，反相放大运算，除法运算；乘法器U3实现信号的求导运算和反相放大运算；集成运算放大器U4用于实现积分运算；乘法器U5、U6用于实现乘法运算；乘法器U7实现将控制信号和输入的电压信号相乘，得到最终的忆阻器点流量。本发明用以模拟忆阻器的伏安特性，替代实际忆阻器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN111079363A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911272532.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种双曲正弦忆阻器的等效模拟电路。本发明中的集成运算放大器U1构成磁通量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相放大运算，将输出信号作为忆阻器等效电路的忆导控制信号；双曲正弦型忆阻器等效电路由集成运算放大器U2和乘法器U3构成，集成运算放大器U2用于实现指数运算和加法运算，集成运算放大器U2与乘法器U3相连用于实现除法器的作用，得到需要的双曲正弦信号，乘法器U4用于实现将双曲正弦信号和电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现忆阻器特性的模拟电路，用以模拟忆阻器的磁通电荷特性，替代实际忆阻器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN109086558B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811145910.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种对数型局部有源忆阻器仿真器。本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4、乘法器U5、乘法器U6和元器件电阻、电容、二极管。集成运算放大器U1用于反相加法运算、积分运算和反相放大运算；集成运算放大器U2用于实现反相加法运算、反相放大运算和对数运算；乘法器U3、U4、U5、U6用于实现信号的乘法运算。该仿真器模型利用集成运算放大器和乘法器等器件构建了满足局部有源忆阻器特性的模拟电路，可应用于忆阻器基础电路特性的研究。
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公开(公告)号：CN108718190B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201810554895.1
申请日：2018-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 本发明公开了一种指数型局部有源忆阻器仿真器。本发明根据数学模型设计局部有源忆阻器仿真器电路，仿真器电路包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4和乘法器U5，集成运算放大器U1用于实现差分放大运算、反相加法运算、积分运算和反相放大运算；集成运算放大器U2用于实现反相加法运算、反相放大运算和指数运算；乘法器U3、U4、U5用于实现信号的乘法运算。在目前及未来无法获得实际忆阻器件的情况下，本发明可代替实际忆阻器实现与忆阻器相关的电路设计、实验以及应用，对忆阻器的特性和应用研究具有重要的实际意义。
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公开(公告)号：CN111079365A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911278061.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种反正切三角函数压控忆阻器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1连接输入端，即忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现反相放大运算和积分运算，经过积分运算后将信号输出，最终求得控制忆导值的状态变量，集成运算放大器U2用于实现加法运算，反相放大运算，除法运算；乘法器U3实现信号的求导运算和反相放大运算；集成运算放大器U4用于实现积分运算；乘法器U5、U6用于实现乘法运算；乘法器U7实现将控制信号和输入的电压信号相乘，得到最终的忆阻器点流量。本发明用以模拟忆阻器的伏安特性，替代实际忆阻器进行实验和应用及研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109086558A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811145910.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种对数型局部有源忆阻器仿真器。本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4、乘法器U5、乘法器U6和元器件电阻、电容、二极管。集成运算放大器U1用于反相加法运算、积分运算和反相放大运算；集成运算放大器U2用于实现反相加法运算、反相放大运算和对数运算；乘法器U3、U4、U5、U6用于实现信号的乘法运算。该仿真器模型利用集成运算放大器和乘法器等器件构建了满足局部有源忆阻器特性的模拟电路，可应用于忆阻器基础电路特性的研究。
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公开(公告)号：CN111125980B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911292822.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种分数阶指数型忆阻器的等效模拟电路，包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3和乘法器U4，电压u经过集成运算放大器U1构成状态变量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相比例运算，得到的信号经过乘法器U3得到状态变量的平方量，经过集成运算放大器U2得到忆导中的指数部分，乘法器U4用于实现将忆导值的部分与电压相乘，最后再经过集成运算放大器U2将信号相加、反相后输出，得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现分数阶忆阻器特性的模拟电路，用以模拟忆阻器的电压电流特性，替代实际分数阶忆阻器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN111079363B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201911272532.X
申请日：2019-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种双曲正弦忆阻器的等效模拟电路。本发明中的集成运算放大器U1构成磁通量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相放大运算，将输出信号作为忆阻器等效电路的忆导控制信号；双曲正弦型忆阻器等效电路由集成运算放大器U2和乘法器U3构成，集成运算放大器U2用于实现指数运算和加法运算，集成运算放大器U2与乘法器U3相连用于实现除法器的作用，得到需要的双曲正弦信号，乘法器U4用于实现将双曲正弦信号和电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现忆阻器特性的模拟电路，用以模拟忆阻器的磁通电荷特性，替代实际忆阻器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN111125980A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292822.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种分数阶指数型忆阻器的等效模拟电路，包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3和乘法器U4，电压u经过集成运算放大器U1构成状态变量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相比例运算，得到的信号经过乘法器U3得到状态变量的平方量，经过集成运算放大器U2得到忆导中的指数部分，乘法器U4用于实现将忆导值的部分与电压相乘，最后再经过集成运算放大器U2将信号相加、反相后输出，得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现分数阶忆阻器特性的模拟电路，用以模拟忆阻器的电压电流特性，替代实际分数阶忆阻器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN108718190A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810554895.1
申请日：2018-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H11/48
Abstract: 本发明公开了一种指数型局部有源忆阻器仿真器。本发明根据数学模型设计局部有源忆阻器仿真器电路，仿真器电路包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4和乘法器U5，集成运算放大器U1用于实现差分放大运算、反相加法运算、积分运算和反相放大运算；集成运算放大器U2用于实现反相加法运算、反相放大运算和指数运算；乘法器U3、U4、U5用于实现信号的乘法运算。在目前及未来无法获得实际忆阻器件的情况下，本发明可代替实际忆阻器实现与忆阻器相关的电路设计、实验以及应用，对忆阻器的特性和应用研究具有重要的实际意义。
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