公开(公告)号：CN109037957A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810622647.6

申请日：2018-06-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 罗国清 ,  刘璇 ,  俞钰峰 ,  俞伟良 ,  潘玉剑

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00 ,  H01Q1/42

Abstract: 本发明涉及三维新型宽带吸波式频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用传输通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维新型宽带吸波式频率选择结构，能够实现一个通带，具备低插入损耗和高频率选择特性；两个宽带吸波带，位于通带两侧，此结构吸波率高，厚度较一般的三维吸波式频率选择结构薄。

公开(公告)号：CN109037957B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201810622647.6

申请日：2018-06-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 罗国清 ,  刘璇 ,  俞钰峰 ,  俞伟良 ,  潘玉剑

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00 ,  H01Q1/42

Abstract: 本发明涉及三维新型宽带吸波式频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用传输通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维新型宽带吸波式频率选择结构，能够实现一个通带，具备低插入损耗和高频率选择特性；两个宽带吸波带，位于通带两侧，此结构吸波率高，厚度较一般的三维吸波式频率选择结构薄。