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公开(公告)号:CN102439740B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN200980158929.4
申请日:2009-06-16
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/1053 , H01S5/341 , H01S5/3412
Abstract: 一种发光器件能够用于发光二极管和激光二极管。发光器件包括:基底,第一半导体层,在基底上;第二半导体层,在第一半导体层上;多量子阱结构,在第一半导体层和第二半导体层之间包括至少一个阱层和至少一个垒层。载流子捕获部分形成在多量子阱结构中的至少一个层中。载流子捕获部分的带隙能从载流子捕获部分的外周到载流子捕获部分的中心逐渐减小。
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公开(公告)号:CN1409411A
公开(公告)日:2003-04-09
申请号:CN01141509.6
申请日:2001-09-28
Applicant: 李贞勋
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的目的是提供能够薄型化制造的、通过简化工艺减少所需要的费用和时间、并可显著提高和改善具有一定标准品质的制品的成品率的白色发光二极管。在将蓝色发光二极管和荧光剂组合制备白色发光二极管的制造方法中,包括向模塑复合树脂中混合荧光染料形成混合物的准备阶段;对上述混合物施加一定温度和压力,形成预定形状的阶段;将形成的混合物向上述蓝色发光二极管芯体部分转移模塑的阶段和切割为单独的白色发光二极管的切割阶段。不使用目前所用的封装操作,可以进行薄型化制造;通过简化工艺减少所需要的费用和时间,且能够显著提高和改善具有一定标准品质制品的成品率。
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公开(公告)号:CN103348177B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201280006747.7
申请日:2012-01-17
Applicant: 李贞勋
Inventor: 李贞勋
IPC: F21K9/20 , F21V23/00 , F21V29/15 , F21Y115/10
CPC classification number: H01L33/64 , F21K9/278 , F21V23/005 , F21V29/15 , F21V29/74 , F21Y2115/10 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K2201/10106 , H05K2201/10575 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种发光二极管(LED)模块及一种照明组件。所述照明组件包括:发光装置;驱动集成电路装置,用于驱动发光装置;热沉,用于释放由发光装置产生的热;热屏蔽部分,用于阻挡驱动集成电路装置和发光装置之间的热干扰。在LED模块中,驱动集成电路装置设置在热屏蔽部分上。因此,能够阻挡发光装置和驱动集成电路装置之间的热干扰并且减小照明组件的尺寸。
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公开(公告)号:CN103348177A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201280006747.7
申请日:2012-01-17
Applicant: 李贞勋
Inventor: 李贞勋
IPC: F21S2/00 , F21V15/06 , F21V29/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/64 , F21K9/278 , F21V23/005 , F21V29/15 , F21V29/74 , F21Y2115/10 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K2201/10106 , H05K2201/10575 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管(LED)模块及一种照明组件。所述照明组件包括:发光装置;驱动集成电路装置,用于驱动发光装置;热沉,用于释放由发光装置产生的热;热屏蔽部分,用于阻挡驱动集成电路装置和发光装置之间的热干扰。在LED模块中,驱动集成电路装置设置在热屏蔽部分上。因此,能够阻挡发光装置和驱动集成电路装置之间的热干扰并且减小照明组件的尺寸。
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公开(公告)号:CN102439740A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN200980158929.4
申请日:2009-06-16
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/1053 , H01S5/341 , H01S5/3412
Abstract: 一种发光器件能够用于发光二极管和激光二极管。发光器件包括:基底,第一半导体层,在基底上;第二半导体层,在第一半导体层上;多量子阱结构,在第一半导体层和第二半导体层之间包括至少一个阱层和至少一个垒层。载流子捕获部分形成在多量子阱结构中的至少一个层中。载流子捕获部分的带隙能从载流子捕获部分的外周到载流子捕获部分的中心逐渐减小。
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公开(公告)号:CN1204632C
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN01141509.6
申请日:2001-09-28
Applicant: 李贞勋
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的目的是提供能够薄型化制造的、通过简化工艺减少所需要的费用和时间、并可显著提高和改善具有一定标准品质的制品的成品率的白色发光二极管。在将蓝色发光二极管和荧光剂组合制备白色发光二极管的制造方法中,包括向模塑复合树脂中混合荧光染料形成混合物的准备阶段;对上述混合物施加一定温度和压力,形成预定形状的阶段;将形成的混合物向上述蓝色发光二极管芯体部分转移模塑的阶段,和;切割为单独的白色发光二极管的切割阶段。不使用目前所用的封装操作,可以进行薄型化制造;通过简化工艺减少所需要的费用和时间,且能够显著提高和改善具有一定标准品质制品的成品率。
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