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公开(公告)号:CN114630552B
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202111180064.0
申请日:2021-10-11
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种可抑制冷却性能的降低的冷却器。冷却器包括形成第三冷媒流路的第三散热构件(55b)及第三盖构件(55e)。第三散热构件(55b)具有供配置第一模块的搭载面(55A)。第三散热构件(55b)包括多个第三散热片构件(55a),所述多个第三散热片构件(55a)从作为第三冷媒流路的表面的一部分的第三散热构件(55b)的内表面(55B)向第三冷媒流路内突出。第三盖构件(55e)包括捕集部(55d),所述捕集部(55d)在作为第三冷媒流路的表面的另一部分的内表面(55C)中多个第三散热片构件(55a)的突出方向外侧的部位形成有多个凹部(55c)。
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公开(公告)号:CN102237354B
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201110115049.8
申请日:2011-04-28
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/538 , H01L23/367 , H05K1/02
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L24/32 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明提供电路基板,电路基板(11)具有多个臂(21U、21L)和散热板(22)。各多个臂(21U、21L)具有设有第一导体层(41F)和第二导体层(41R)的绝缘基板(41)。各多个臂(21U、21L)的绝缘基板(41)具有:通过第一焊锡(51)接合有无源元件(43)的无源元件区域(41P);通过第一焊锡(51)接合有有源元件(42)的有源元件区域(41I);配置有元件组的配线的配线区域(41W)。在各多个臂(21U、21L)中,无源元件区域(41P)、有源元件区域(41I)和配线区域(41W)在绝缘基板(41)的两面的长度方向上整齐排列,并且在以有源元件区域(41I)为中央的有源元件区域(41I)的两侧配置有无源元件区域(41P)及配线区域(41W)。
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公开(公告)号:CN114630552A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202111180064.0
申请日:2021-10-11
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明提供一种可抑制冷却性能的降低的冷却器。冷却器包括形成第三冷媒流路的第三散热构件(55b)及第三盖构件(55e)。第三散热构件(55b)具有供配置第一模块的搭载面(55A)。第三散热构件(55b)包括多个第三散热片构件(55a),所述多个第三散热片构件(55a)从作为第三冷媒流路的表面的一部分的第三散热构件(55b)的内表面(55B)向第三冷媒流路内突出。第三盖构件(55e)包括捕集部(55d),所述捕集部(55d)在作为第三冷媒流路的表面的另一部分的内表面(55C)中多个第三散热片构件(55a)的突出方向外侧的部位形成有多个凹部(55c)。
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公开(公告)号:CN102237354A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201110115049.8
申请日:2011-04-28
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/538 , H01L23/367 , H05K1/02
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/36 , H01L24/32 , H01L25/18 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明提供一种电路基板,电路基板(11)具有多个臂(21U、21L)和散热板(22)。各多个臂(21U、21L)具有设有第一导体层(41F)和第二导体层(41R)的绝缘基板(41)。各多个臂(21U、21L)的绝缘基板(41)具有:通过第一焊锡(51)接合有无源元件(43)的无源元件区域(41P);通过第一焊锡(51)接合有有源元件(42)的有源元件区域(41I);配置有元件组的配线的配线区域(41W)。在各多个臂(21U、21L)中,无源元件区域(41P)、有源元件区域(41I)和配线区域(41W)在绝缘基板(41)的两面的长度方向上整齐排列,并且在以有源元件区域(41I)为中央的有源元件区域(41I)的两侧配置有无源元件区域(41P)及配线区域(41W)。
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公开(公告)号:CN101908521B
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201010198571.2
申请日:2010-06-04
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/0204 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/0058 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件,包括:通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件,以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板,其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成,并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围,以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。
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公开(公告)号:CN101908521A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN201010198571.2
申请日:2010-06-04
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/0204 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/0058 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件,包括:通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件,以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板,其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成,并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围,以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。
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