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公开(公告)号：CN110462798B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201780088506.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/67
Abstract: 衬底定位于电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上。从第一射频信号发生器向设置在等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，以产生暴露于衬底的等离子体。从第二射频信号发生器向衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号。第一和第二射频信号发生器被彼此独立地控制。第二射频信号的频率大于或等于约27兆赫兹。第二射频信号在等离子体处理容积空间内的衬底的水平处产生补充等离子体密度，同时在衬底的水平处产生小于约200伏的偏压。
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公开(公告)号：CN111357075B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880074096.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 张依婷 , 理查德·马什 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 亚历山大·帕特森
IPC: H01J37/32
Abstract: 衬底处理系统包括多区域冷却装置，以对衬底处理室中全部或基本上全部的窗提供冷却。在一方面，该装置包括一或更多个气室，以覆盖衬底处理室中全部或实质上全部的窗，其包括在衬底处理室中用于变压器耦合型等离子体的能量源下方。一或更多个空气放大器及随附导管提供空气至一或更多个气室，以提供气流至窗。这些导管连接至距离中心不同距离处的气室入口，以引导气流至整个窗，从而处理取决于室中所进行的工艺的中心热、中间热及边缘热状况。在一方面，该一或更多个气室包括中心空气入口，以引导空气朝向窗的中心部分，以处理中心热状况。
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公开(公告)号：CN111357075A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074096.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 张依婷 , 理查德·马什 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 亚历山大·帕特森
IPC: H01J37/32
Abstract: 衬底处理系统包括多区域冷却装置，以对衬底处理室中全部或基本上全部的窗提供冷却。在一方面，该装置包括一或更多个气室，以覆盖衬底处理室中全部或实质上全部的窗，其包括在衬底处理室中用于变压器耦合型等离子体的能量源下方。一或更多个空气放大器及随附导管提供空气至一或更多个气室，以提供气流至窗。这些导管连接至距离中心不同距离处的气室入口，以引导气流至整个窗，从而处理取决于室中所进行的工艺的中心热、中间热及边缘热状况。在一方面，该一或更多个气室包括中心空气入口，以引导空气朝向窗的中心部分，以处理中心热状况。
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公开(公告)号：CN107045977B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710066218.0
申请日：2017-02-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及连续等离子体中的原子层蚀刻。基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的去除能量阈值使用自限制反应来蚀刻衬底的方法和装置涉及连续等离子体的流动。工艺条件允许受控的自限制各向异性蚀刻，而不在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替。良好控制的蚀刻前沿允许反应性自由基和惰性离子的协同效应以执行蚀刻，使得当衬底被反应性自由基改变并且被惰性离子移除时蚀刻材料，而当材料被反应性自由基改变但不存在惰性离子时或当存在惰性离子但材料没有被反应性自由基改变时不蚀刻材料。
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公开(公告)号：CN110462798A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780088506.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/67
Abstract: 衬底定位于电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上。从第一射频信号发生器向设置在等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，以产生暴露于衬底的等离子体。从第二射频信号发生器向衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号。第一和第二射频信号发生器被彼此独立地控制。第二射频信号的频率大于或等于约27兆赫兹。第二射频信号在等离子体处理容积空间内的衬底的水平处产生补充等离子体密度，同时在衬底的水平处产生小于约200伏的偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117810058A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311514845.8
申请日：2018-11-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 张依婷 , 理查德·马什 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 亚历山大·帕特森
Abstract: 衬底处理系统包括多区域冷却装置，以对衬底处理室中全部或基本上全部的窗提供冷却。在一方面，该装置包括一或更多个气室，以覆盖衬底处理室中全部或实质上全部的窗，其包括在衬底处理室中用于变压器耦合型等离子体的能量源下方。一或更多个空气放大器及随附导管提供空气至一或更多个气室，以提供气流至窗。这些导管连接至距离中心不同距离处的气室入口，以引导气流至整个窗，从而处理取决于室中所进行的工艺的中心热、中间热及边缘热状况。在一方面，该一或更多个气室包括中心空气入口，以引导空气朝向窗的中心部分，以处理中心热状况。
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公开(公告)号：CN107785253B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201710733330.5
申请日：2017-08-24
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进。提供了一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法。使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使该侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体。穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。
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公开(公告)号：CN107768275A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710564129.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 张依婷 , 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼 , 亚历克斯·帕特森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32 , H01J37/20
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/68785 , H01J37/20 , H01J37/32449 , H01J2237/3343 , H01L21/67069
Abstract: 本发明涉及利用可移动边缘环和气体注入调整控制晶片上CD均匀性。一种衬底处理系统中的衬底支撑件包括内部部分和外部部分。内部部分定位于气体分配装置下方，所述气体分配装置被构造成将第一处理气体引向所述内部部分。所述外部部分包括边缘环，所述边缘环围绕所述内部部分的外周边定位以至少部分地环绕所述内部部分和布置在所述内部部分上的衬底。所述边缘环被配置为相对于所述内部部分升高和降低，并且将第二处理气体朝所述内部部分引导。控制器确定在处理过程中沉积在所述衬底上的材料的分配，并且基于所确定的所述分配，选择性地调整边缘环的位置，以及选择性地调整所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的流动。
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公开(公告)号：CN107045977A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710066218.0
申请日：2017-02-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及连续等离子体中的原子层蚀刻。基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的去除能量阈值使用自限制反应来蚀刻衬底的方法和装置涉及连续等离子体的流动。工艺条件允许受控的自限制各向异性蚀刻，而不在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替。良好控制的蚀刻前沿允许反应性自由基和惰性离子的协同效应以执行蚀刻，使得当衬底被反应性自由基改变并且被惰性离子移除时蚀刻材料，而当材料被反应性自由基改变但不存在惰性离子时或当存在惰性离子但材料没有被反应性自由基改变时不蚀刻材料。
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公开(公告)号：CN107768275B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710564129.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 张依婷 , 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼 , 亚历克斯·帕特森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32 , H01J37/20
Abstract: 本发明涉及利用可移动边缘环和气体注入调整控制晶片上CD均匀性。一种衬底处理系统中的衬底支撑件包括内部部分和外部部分。内部部分定位于气体分配装置下方，所述气体分配装置被构造成将第一处理气体引向所述内部部分。所述外部部分包括边缘环，所述边缘环围绕所述内部部分的外周边定位以至少部分地环绕所述内部部分和布置在所述内部部分上的衬底。所述边缘环被配置为相对于所述内部部分升高和降低，并且将第二处理气体朝所述内部部分引导。控制器确定在处理过程中沉积在所述衬底上的材料的分配，并且基于所确定的所述分配，选择性地调整边缘环的位置，以及选择性地调整所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的流动。
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