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公开(公告)号：CN118380304A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410306942.6
申请日：2018-08-23
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 描述了用于增加具有离子的低角分散的峰值离子能量的系统和方法。在所述系统中的一者中，耦合到与等离子体室相关联的上电极的多个射频(RF)发生器在两种不同状态(例如，两种不同频率电平)下操作，以使RF发生器的脉冲发生。RF发生器的脉冲发生有利于将一种状态期间的离子能量转移到另一种状态，以在该另一种状态期间增加离子能量，从而进一步提高加工衬底的速度。
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公开(公告)号：CN113811980B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202080035046.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 二维频率搜索网格由表示RF信号发生器在第一操作状态下的操作频率设定点的第一坐标轴和表示所述RF信号发生器在第二操作状态下的操作频率设定点的第二坐标轴定义。所述RF信号发生器具有在第一操作状态下的第一输出功率电平和在第二操作状态下的第二输出功率电平。所述RF信号发生器通过在第一操作状态和第二操作状态之间循环交替而以多级RF功率脉冲模式操作。自动搜索过程在二维频率搜索网格内执行，以同时确定所述RF信号发生器在第一操作状态下的的操作频率设定点的最佳值和所述RF信号发生器在第二操作状态下的的操作频率设定点的最佳值。
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公开(公告)号：CN112585715A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054228.X
申请日：2019-08-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王雨后 , 龙茂林 , 吴垠 , 亚历山大·米勒·帕特森
Abstract: 一种用于将RF功率提供至衬底处理系统的部件的驱动电路包含在第一频率下运行的等离子体源。负载包含所述衬底处理系统的所述部件。阻抗网络将所述等离子体源连接至所述负载。电流传感器感测在所述等离子体源的输出处的电流。电压传感器感测在所述等离子体源的所述输出处的电压。控制器包含调谐频率计算器，所述调谐频率计算器被设置成：基于所述电压、所述电流以及所述阻抗网络的配置来计算用于所述等离子体源的调谐频率；以及基于所述调谐频率来调节所述第一频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107045977B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710066218.0
申请日：2017-02-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及连续等离子体中的原子层蚀刻。基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的去除能量阈值使用自限制反应来蚀刻衬底的方法和装置涉及连续等离子体的流动。工艺条件允许受控的自限制各向异性蚀刻，而不在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替。良好控制的蚀刻前沿允许反应性自由基和惰性离子的协同效应以执行蚀刻，使得当衬底被反应性自由基改变并且被惰性离子移除时蚀刻材料，而当材料被反应性自由基改变但不存在惰性离子时或当存在惰性离子但材料没有被反应性自由基改变时不蚀刻材料。
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公开(公告)号：CN110462798A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780088506.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/67
Abstract: 衬底定位于电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上。从第一射频信号发生器向设置在等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，以产生暴露于衬底的等离子体。从第二射频信号发生器向衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号。第一和第二射频信号发生器被彼此独立地控制。第二射频信号的频率大于或等于约27兆赫兹。第二射频信号在等离子体处理容积空间内的衬底的水平处产生补充等离子体密度，同时在衬底的水平处产生小于约200伏的偏压。
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