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公开(公告)号：CN111876826B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111876826A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN110306236A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111893569A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100445199C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610037581.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 暨南大学
IPC: C01B21/068 , B82B3/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400-500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β-Si3N4，含少量α-Si3N4，相对于SiCl4总产率90%以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40-80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109605987A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811374022.9
申请日：2018-11-19
Applicant: 暨南大学
IPC: B43K29/00
Abstract: 本发明属于手写笔领域，涉及一种自发热暖手笔及其组装方法。暖手笔包括笔壳、发热电路系统和笔芯。发热电路系统包括发热模块、供电模块和充放电保护模块，供电模块为发热模块提供电源，使发热模块的发热片能够产生热量，充放电保护模块内的电源输入接口的正负极对应连接供电模块的正负极，充放电保护模块内的电源输出接口连接发热模块的发热片电极，通电后发热片产生热量。发热电路系统能够给手写笔提供充电、供电、电路保护以及产热等功能，从而实现在寒冷天气手写笔能够自发热暖手保健，提高写字的舒适度。本发明可改善人们在严寒季节里写字而冻伤手问题，具有构造简单、温暖舒适、安全可靠和价格低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109246860A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811136644.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现在显微镜下原位、动态观察材料的高温装置。该高温装置包括主腔体、设置于主腔体内的内腔体、加热单元、通气单元以及抽真空单元；主腔体上设置有用于观察的窗口；加热单元、通气单元以及抽真空单元分别与内腔体连接；加热单元用于为内腔体提供高温环境；通气单元用于为内腔体通气；抽真空单元用于将内腔体抽真空。该高温装置体积小，能满足材料生长的高温、通气以及真空条件，设有观察窗口，可在显微镜下观察材料的高温动态过程。
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公开(公告)号：CN110306236B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
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公开(公告)号：CN109402574A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811463202.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于功能纳米材料领域，具体涉及一种分散型自组装VO2纳米颗粒的制备方法。该方法将固态薄膜反湿润和热解法相结合，通过V2O5前驱薄膜制备和后热处理两个步骤即可制备出分散型自组装VO2纳米颗粒。该方法克服了传统模板法工艺复杂、成本高的缺点，不但具有工艺简单、成本低廉的优点，而且所制备出的分散型VO2纳米颗粒具有颗粒分布均匀、物相单一的特点；此外，通过调控V2O5前驱薄膜的厚度，能够制备出不同粒径的VO2纳米颗粒，从而实现了MIT温度及迟滞宽度随VO2纳米颗粒的粒径增大而减小的可控性，部分产品表现出41℃相变温度及零迟滞的优异相变行为，所得VO2纳米颗粒在智能窗领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN111893569B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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