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公开(公告)号：CN100445199C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610037581.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 暨南大学
IPC: C01B21/068 , B82B3/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400-500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β-Si3N4，含少量α-Si3N4，相对于SiCl4总产率90%以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40-80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。
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公开(公告)号：CN1955109A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610037578.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 暨南大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明公开了片状六方氮化硼多晶体粉末的制备方法及制得的氮化硼多晶体粉末。以NaBH4、KBH4和NaBF4等碱金属氟硼酸盐、CaB6等金属硼化物为硼源，以NaNH2等为氮源，控制反应物配比，在500－600℃下反应，产物通过洗涤、过滤和干燥，即得到纳米及亚微米片状六方氮化硼多晶体粉末。可制备六方氮化硼多晶体为三角形片状、六边形片状、椭圆形片状、不规则片状等不同形貌。片状氮化硼的尺寸和形貌均匀，80wt.％以上的颗粒包含在平均粒径±20％范围内。
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公开(公告)号：CN1955110A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610037581.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 暨南大学
IPC: C01B21/068 , B82B3/00 , C04B35/584
Abstract: 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400－500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β－Si3N4，含少量α－Si3N4，相对于SiCl4总产率90％以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40－80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。
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公开(公告)号：CN100506690C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200610037578.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 暨南大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明公开了片状六方氮化硼多晶体粉末的制备方法及制得的氮化硼多晶体粉末。以NaBH4、KBH4和NaBF4等碱金属氟硼酸盐、CaB6等金属硼化物为硼源，以NaNH2等为氮源，控制反应物配比，在500-600℃下反应，产物通过洗涤、过滤和干燥，即得到纳米及亚微米片状六方氮化硼多晶体粉末。可制备六方氮化硼多晶体为三角形片状、六边形片状、椭圆形片状、不规则片状等不同形貌。片状氮化硼的尺寸和形貌均匀，80wt.%以上的颗粒包含在平均粒径±20%范围内。
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