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公开(公告)号：CN111876826B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111876826A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010668344.5
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体公开了一种高质量草状V2O5晶体及其制备方法。本发明采用一种改进版的物理气相沉积法制备V2O5晶体，即V2O5粉末在高温区蒸发成V2O5气体分子，在低温区沉积生长形成V2O5晶体。在制备过程中，携带V2O5气体分子的载气(氧气)通过倒机翼状载板时，由于上下气流流速不同，产生压强差，增强了V2O5气体分子在衬底上沉积的效率。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产，同时本发明制备得到的草状V2O5晶体具有表面光滑、物相单一、结晶性好以及大尺寸等特点，此外，通过加工处理可得到V2O5的低维纳米结构材料，为进一步研究V2O5的相关性能、应用提供了原材料。
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公开(公告)号：CN111893569A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111893569B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110455419B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4‑8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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公开(公告)号：CN110455419A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4-8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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