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公开(公告)号：CN109716570A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201680089273.5
申请日：2016-08-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M8/18 , H01M8/0234 , H01M8/0263 , H01M8/04186 , H01M4/96
Abstract: 一种氧化还原液流电池，具有离子交换膜、集电板、和配置在所述离子交换膜与所述集电板之间的电极，所述电极具有主电极层，所述主电极层具有电解液从所述集电板侧的面流向所述离子交换膜侧的面的区域，所述区域由在面方向上并排设置的多个主电极片构成。
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公开(公告)号：CN105706279B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480061048.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01M4/96 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01B2202/36 , H01M4/8652 , H01M8/188 , Y02E60/528 , Y10S977/742 , Y10S977/783 , Y10S977/842 , Y10S977/90 , Y10S977/948
Abstract: 本发明的氧化还原液流电池,包含平均直径为100nm以上的第1碳纳米管和平均直径为30nm以下的第2碳纳米管,具有所述第2碳纳米管附着于所述第1碳纳米管的表面、且所述第2碳纳米管跨于多个所述第1碳纳米管间的结构。本发明的氧化还原液流电池,由于具有电极材料以及具有使用所述电极材料的电极,因此电动势高,充电容量大。
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公开(公告)号：CN107004867A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067897.2
申请日：2015-12-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M4/96 , H01M8/02 , H01M8/0202 , H01M8/18
Abstract: 本发明的一技术方案涉及的氧化还原液流电极，是配置于离子交换膜与双极板之间的氧化还原液流电池用电极，所述电极包含导电片和层叠于所述导电片上的多孔片，所述导电片包含平均纤维直径为1μm以下的碳纳米管，所述多孔片由平均纤维直径大于1μm的纤维制成。
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公开(公告)号：CN101438429A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110869418B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201880042920.6
申请日：2018-06-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C08G65/329 , C08F299/02 , C10M107/38 , G11B5/725 , G11B5/84 , C10N20/04 , C10N40/18 , C10N50/02
Abstract: 本发明的一形态的有机氟化合物其通式如下，(R‑π‑E‑CH2‑A‑CH2‑E’)n‑π’‑G (1B)(其中，n是2～5的整数，A是2价的全氟聚醚基，π是亚芳基(arylene group)或单键，R是烯基(alkenyl group)或炔基(alkyne group)，E以及E’分别是独立的由化学式‑O‑CH2CH(OH)CH2O‑所示的基、醚键或酯键，π’是苯脱去n+1个氢原子的基，G是包含富勒烯(fullerene)骨架的有机基，n个由通式R‑π‑E‑CH2‑A‑CH2‑E’‑所示的基是相同或不同的基，n个π中的至少1个是亚芳基)。
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公开(公告)号：CN110869418A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880042920.6
申请日：2018-06-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C08G65/329 , C08F299/02 , C10M107/38 , G11B5/725 , G11B5/84 , C10N20/04 , C10N40/18 , C10N50/02
Abstract: 本发明的一形态的有机氟化合物其通式如下，(R-π-E-CH2-A-CH2-E’)n-π’-G (1B)(其中，n是2～5的整数，A是2价的全氟聚醚基，π是亚芳基(arylene group)或单键，R是烯基(alkenyl group)或炔基(alkyne group)，E以及E’分别是独立的由化学式-O-CH2CH(OH)CH2O-所示的基、醚键或酯键，π’是苯脱去n+1个氢原子的基，G是包含富勒烯(fullerene)骨架的有机基，n个由通式R-π-E-CH2-A-CH2-E’-所示的基是相同或不同的基，n个π中的至少1个是亚芳基)。
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公开(公告)号：CN101522942A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036234.X
申请日：2007-09-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。
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公开(公告)号：CN100521845C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580040033.8
申请日：2005-11-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L33/502 , H01L51/006 , H01L51/5036 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供了具有优异性能的作为发光源的发光二极管发光源、使用该发光源的发光器和用于液晶显示的背光，所述性能例如是在从绿光到红光的波长区域中的平坦光谱分布和红光区域的足够发射强度，该发光源包括在光谱分布的480-700nm范围内具有半值宽度为20nm或更高的多个峰的发光二极管，其中480-700nm波长范围内这些峰之间的谷的最低强度为同样范围中最高峰强度的65%或更高。
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