一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法

    公开(公告)号:CN118005089A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410178576.0

    申请日:2024-02-09

    Abstract: 本发明公开了一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法,包括以下步骤:将钴源、醇、聚乙烯吡咯烷酮、去离子水和双氧水以设定比例混合获得混合物;将所述混合物以预设的容积比在密封的容器中升温至预设温度并恒温反应设定时间;当反应结束后,将反应生成物冷却至室温并洗涤,干燥后即得立方晶系的四氧化三钴量子点。本发明在最佳制备条件下不仅能获得特定晶体结构的立方晶系四氧化三钴量子点,且能获得粒径尺寸均一性高、颗粒分散的四氧化三钴量子点;可应用在催化、储能和传感等领域,且制备过程简单易行、重复性好、能耗低且成本低廉,可放大或缩小工艺参数比例,适用于工业化批量生产。

    一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法

    公开(公告)号:CN110127749A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910450346.4

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法,属于纳米材料技术领域。本发明将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠与水混合均匀,在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系;反应体系冷却至室温,离心分离,去除上层清液,再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性,干燥即得硫化亚铜纳米花。本发明方法反应条件温和、产率高、产物形貌比较均匀而且重复性好,制得的硫化亚铜纳米花的平均粒径为700 nm~1.9μm,组成纳米花的纳米片的平均粒径为400 nm左右;本发明硫化亚铜纳米花具有分级结构和含铜缺陷,可应用在光催化剂、太阳能电池、电化学储能器件和传感器等领域。

    一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法

    公开(公告)号:CN110127749B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN201910450346.4

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法,属于纳米材料技术领域。本发明将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠与水混合均匀,在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系;反应体系冷却至室温,离心分离,去除上层清液,再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性,干燥即得硫化亚铜纳米花。本发明方法反应条件温和、产率高、产物形貌比较均匀而且重复性好,制得的硫化亚铜纳米花的平均粒径为700 nm~1.9μm,组成纳米花的纳米片的平均粒径为400 nm左右;本发明硫化亚铜纳米花具有分级结构和含铜缺陷,可应用在光催化剂、太阳能电池、电化学储能器件和传感器等领域。

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