-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112978798B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110142275.9
申请日：2021-02-02
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种物相、形貌和尺寸可调的氧化钼纳米材料制备方法及装置，将钼源、醇与水以设定的比例混合，以2:5的容积比在密封的条件下升温至预设的温度并恒温反应3h以上，待反应结束后，将反应体系冷却至室温并离心洗涤，干燥后即得氧化钼纳米材料，它的物相从单斜MoO2、正交MoO3到单斜H1.68MoO3和单斜H0.93MoO3(即加氢的氧化钼)均可调，形貌从球形到片状、棒状可调，尺寸分布从几纳米至几微米可调，制备过程可操作性强且重复性好、成本低廉且环保、样品产率高，可放大或缩小工艺参数比例，适用于工业化批量生产。
-
公开(公告)号：CN110127749B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910450346.4
申请日：2019-05-28
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明涉及一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠与水混合均匀，在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系；反应体系冷却至室温，离心分离，去除上层清液，再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性，干燥即得硫化亚铜纳米花。本发明方法反应条件温和、产率高、产物形貌比较均匀而且重复性好，制得的硫化亚铜纳米花的平均粒径为700 nm~1.9μm，组成纳米花的纳米片的平均粒径为400 nm左右；本发明硫化亚铜纳米花具有分级结构和含铜缺陷，可应用在光催化剂、太阳能电池、电化学储能器件和传感器等领域。
-
公开(公告)号：CN112978798A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110142275.9
申请日：2021-02-02
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种物相、形貌和尺寸可调的氧化钼纳米材料制备方法及装置，将钼源、醇与水以设定的比例混合，以2:5的容积比在密封的条件下升温至预设的温度并恒温反应3h以上，待反应结束后，将反应体系冷却至室温并离心洗涤，干燥后即得氧化钼纳米材料，它的物相从单斜MoO2、正交MoO3到单斜H1.68MoO3和单斜H0.93MoO3(即加氢的氧化钼)均可调，形貌从球形到片状、棒状可调，尺寸分布从几纳米至几微米可调，制备过程可操作性强且重复性好、成本低廉且环保、样品产率高，可放大或缩小工艺参数比例，适用于工业化批量生产。
-
公开(公告)号：CN110699660A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910952055.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在任意基底上快速生长硫化亚铜纳米片阵列薄膜的方法，属于纳米材料技术领域，该方法首先在密封、水存在条件下利用单质硫和碱金属硫化物通过水热反应制得含多硫离子水溶液，然后将铜基底或镀铜膜的其它任意基底放入含多硫离子水溶液中反应，其中含多硫离子水溶液中多硫离子的摩尔浓度为0.1 mol/L~1 mol/L，反应完成后，采用去离子水冲洗干净，干燥，即在任意基底上制得硫化亚铜纳米片阵列薄膜；本发明硫化亚铜纳米片阵列薄膜可在任意基底上进行制备，大大增加了硫化亚铜纳米片阵列薄膜的应用领域和适用性。
-
公开(公告)号：CN110127749A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910450346.4
申请日：2019-05-28
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明涉及一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠与水混合均匀，在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系；反应体系冷却至室温，离心分离，去除上层清液，再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性，干燥即得硫化亚铜纳米花。本发明方法反应条件温和、产率高、产物形貌比较均匀而且重复性好，制得的硫化亚铜纳米花的平均粒径为700 nm~1.9μm，组成纳米花的纳米片的平均粒径为400 nm左右；本发明硫化亚铜纳米花具有分级结构和含铜缺陷，可应用在光催化剂、太阳能电池、电化学储能器件和传感器等领域。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
