公开(公告)号：CN116216769A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310173430.2

申请日：2023-02-28

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 付佳鑫 ,  吕亚敏 ,  胡劲 ,  王开军 ,  张维均 ,  段云彪

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明涉及一种金属镓水解法制备高纯氧化镓的方法，属于金属氧化物材料制备技术领域。本发明将金属镓单质和表面活性剂加入到电解还原水中搅拌均匀得到反应体系；在温度70～100℃、转速4000～8000rpm下，金属镓被分散成微粒与电解还原水反应生成GaOOH。GaOOH裹挟于表面活性剂产生的浮沫并排至液体上层，收集浮沫，纯水洗净，干燥即得GaOOH晶体。将GaOOH晶体匀速升温至焙烧温度，再焙烧2～4h后得到高纯Ga2O3。本发明利用金属镓单质为原料，可避免传统工艺中镓离子失效的问题。本发明制备的高纯Ga2O3纯度可达99.99％；可按比例连续补加原料，以实现高纯Ga2O3的连续式生产，大大提高生产效率。

公开(公告)号：CN116216769B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202310173430.2

申请日：2023-02-28

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 付佳鑫 ,  吕亚敏 ,  胡劲 ,  王开军 ,  张维均 ,  段云彪

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明涉及一种金属镓水解法制备高纯氧化镓的方法，属于金属氧化物材料制备技术领域。本发明将金属镓单质和表面活性剂加入到电解还原水中搅拌均匀得到反应体系；在温度70～100℃、转速4000～8000rpm下，金属镓被分散成微粒与电解还原水反应生成GaOOH。GaOOH裹挟于表面活性剂产生的浮沫并排至液体上层，收集浮沫，纯水洗净，干燥即得GaOOH晶体。将GaOOH晶体匀速升温至焙烧温度，再焙烧2～4h后得到高纯Ga2O3。本发明利用金属镓单质为原料，可避免传统工艺中镓离子失效的问题。本发明制备的高纯Ga2O3纯度可达99.99％；可按比例连续补加原料，以实现高纯Ga2O3的连续式生产，大大提高生产效率。