-
公开(公告)号：CN113584578A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110807542.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 昆明物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托，属于半导体材料生长领域。两用生长钼盘由两部分构成，第一部分为主体部分圆形钼盘托，背面有测温片放置槽；第二部分为背面有测温孔的测温片，使用接触控温时将测温片放入第一部分测温槽中使用。所述两用为：当主体部分不使用测温片时进行非接触式测温，可进行高温材料生长；当两部分组合使用时可采用接触测温，生长温度要求高及材料生长窗口范围窄的材料。本发明在进行材料生长时，不需要二次粘片，解决了衬底掉片的问题；与此同时，使用本发明的钼盘托，安装测温片时在有氮气保护的loading腔内安装即可，不会暴露于大气中，有效的解决了沾污问题。
-
公开(公告)号：CN119342940A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411416760.0
申请日：2024-10-11
Applicant: 昆明物理研究所
IPC: H10F77/14 , H10F30/222 , H10F71/00 , H10F39/12
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞双层组分异质平面结探测器，包括层叠设置的衬底材料层、n型吸收层、表面n型宽禁带异质层、钝化层及接触电极层；表面n型宽禁带异质层是基于富汞垂直液相外延技术在n型吸收层表面制备的宽禁带异质层，剩余杂质为n型；钝化层在正投影方向上覆盖所述隔离区和所述p型注入区的至少部分面积，所述钝化层未覆盖p型注入区的部分为接触孔；接触电极层与所述p型注入区接触且接触电极正投影面积大于且覆盖接触孔。本发明利用n型宽禁带异质层生长过程实现界面互扩散，通过As离子注入实现碲镉汞p‑on‑n平面异质结器件。本发明能够有效抑制隧穿电流和表面漏电，能降低暗电流，提升器件性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387393A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310356607.2
申请日：2023-04-06
Applicant: 昆明物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双色碲镉汞红外光电探测器及其制备方法，该双色探测器基于单极型势垒结构，其结构包括CdZnTe衬底、沉积于CdZnTe衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，外延结构从下至上依次为宽带隙n型Hg1‑x1Cdx1Te吸收层，n型掺杂浓度逐渐降低的Hg1‑x2Cdx2Te组分梯度过渡层，宽带隙轻掺杂的Hg1‑x3Cdx3Te势垒层，n型掺杂浓度逐渐增加的Hg1‑x4Cdx4Te组分梯度过渡层，窄带隙n型Hg1‑x5Cdx5Te吸收层。该探测器无需通过离子注入形成pn结，通过正负偏压的调控，可以实现双波段信号的收集，在施加较小偏压的情况下即可实现探测器的正常工作，可以有效降低表面漏电流对器件性能的影响，提高探测器的器件性能，探测器具备高工作温度的能力。
-
公开(公告)号：CN116230801A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310246977.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 昆明物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法，包括碲锌镉CdZnTe衬底和沉积于碲锌镉衬底上的碲镉汞Hg1‑xCdxTe外延结构，从碲锌镉衬底开始依次为：重掺杂的宽带隙n型Hg1‑x1Cdx1Te接触层N+，轻掺杂的n型Hg1‑x2Cdx2Te组分梯度过渡层G‑，轻掺杂的n型Hg1‑x3Cdx3Te组分梯度过渡层G+，较窄带隙轻掺杂的n型Hg1‑x4Cdx4Te吸收层ν，轻掺杂的n型Hg1‑x5Cdx5Te组分梯度过渡层G‑，轻掺杂的n型Hg1‑x6Cdx6Te组分梯度过渡层G+，重掺杂宽带隙的p型Hg1‑7Cdx7Te接触层P+。本发明能够提高量子效率，在高工作温度下实现了吸收层内热激发本征载流子的抑制，降低了俄歇复合过程从而有效降低器件的暗电流，提高了器件的工作温度。
-
公开(公告)号：CN113584578B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110807542.X
申请日：2021-07-16
Applicant: 昆明物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托，属于半导体材料生长领域。两用生长钼盘由两部分构成，第一部分为主体部分圆形钼盘托，背面有测温片放置槽；第二部分为背面有测温孔的测温片，使用接触控温时将测温片放入第一部分测温槽中使用。所述两用为：当主体部分不使用测温片时进行非接触式测温，可进行高温材料生长；当两部分组合使用时可采用接触测温，生长温度要求高及材料生长窗口范围窄的材料。本发明在进行材料生长时，不需要二次粘片，解决了衬底掉片的问题；与此同时，使用本发明的钼盘托，安装测温片时在有氮气保护的装载（loading）腔内安装即可，不会暴露于大气中，有效的解决了沾污问题。
-
公开(公告)号：CN114934257A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210444639.3
申请日：2022-04-26
Applicant: 昆明物理研究所
IPC: C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01L31/0272 , H01L31/0392 , B82Y15/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00
Abstract: p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法，涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶，利用射频磁控溅射方法，采用较低的靶材功率、无需升高衬底温度、无需后退火处理即可得到已经晶化的、符合化学计量比的p型二元化合物SnTe纳米薄膜材料。本发明制备方法简单、有效、低能耗，成膜均匀、连续，所得薄膜与基底的粘附性好，并实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。
-
公开(公告)号：CN220788750U
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202322390787.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 昆明物理研究所
IPC: C23C14/24
Abstract: 本实用新型涉及一种真空腔体用可调方向拨叉装置，由角度调整及伸缩部分、支撑及伸缩控制部分、拨叉杆部分及外部旋转强磁套等部分组成；通过角度调整及伸缩部分可实现拨叉方向调整，通过支撑及伸缩控制部分可实现拨叉杆的前后伸缩，通过外部旋转强磁套部分可控制拨叉杆的旋转。本装置可以在如分子束外延腔体等真空腔体内实现轴向伸缩，并绕轴偏转一定角度，可以在一定空间立体角内调节方向的拨叉，其结构简单，安装在真空腔体上一定的位置，可以实现对某一真空腔体内区域的拨动、摩擦、敲击等诸多机械动作，有利于处理一些腔体中突发的一些机械故障。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.054 seconds)
