公开(公告)号：CN114737256A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210304045.2

申请日：2022-03-25

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 赵文 ,  孔金丞 ,  姜军 ,  李沛 ,  俞见云 ,  李俊 ,  陈少璠 ,  庹梦寒 ,  王静宇 ,  陈姗 ,  姬荣斌

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/46 ,  C30B19/12

Abstract: 本发明公开了一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法，该方法将碲锌镉晶体采用镉饱和气氛退火处理，实现镉原子热扩散消除碲锌镉晶体中导电类型转变界面、改善碲锌镉晶锭的均匀性和一致性。该方法提升了材料的光学性能、电学性能及组分均匀性和一致性，消除了碲锌镉晶锭表面的颜色转变区域。本方法具有消除碲锌镉晶体材料中的镉空位的效果，提升了碲锌镉晶体材料的红外光谱透过率，使碲锌镉基碲镉汞红外焦平面探测器组件响应图的均匀性和一致性得到显著改善。

公开(公告)号：CN114934257A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210444639.3

申请日：2022-04-26

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 宋立媛 ,  唐利斌 ,  郝群 ,  王静宇 ,  吕浩 ,  何文瑾 ,  李艳辉 ,  俞见云 ,  齐浩泽 ,  王海澎 ,  覃钢 ,  辛永刚 ,  庄继胜

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0392 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00

Abstract: p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法，涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶，利用射频磁控溅射方法，采用较低的靶材功率、无需升高衬底温度、无需后退火处理即可得到已经晶化的、符合化学计量比的p型二元化合物SnTe纳米薄膜材料。本发明制备方法简单、有效、低能耗，成膜均匀、连续，所得薄膜与基底的粘附性好，并实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。

公开(公告)号：CN116230801A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310246977.0

申请日：2023-03-15

Applicant: 昆明物理研究所

Inventor： 俞见云 ,  孔金丞 ,  覃钢 ,  秦强 ,  宋林伟 ,  丛树仁 ,  何天应 ,  李艳辉 ,  赵俊 ,  赵鹏

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双过渡层碲镉汞多层异质结器件及其制备方法，包括碲锌镉CdZnTe衬底和沉积于碲锌镉衬底上的碲镉汞Hg1‑xCdxTe外延结构，从碲锌镉衬底开始依次为：重掺杂的宽带隙n型Hg1‑x1Cdx1Te接触层N+，轻掺杂的n型Hg1‑x2Cdx2Te组分梯度过渡层G‑，轻掺杂的n型Hg1‑x3Cdx3Te组分梯度过渡层G+，较窄带隙轻掺杂的n型Hg1‑x4Cdx4Te吸收层ν，轻掺杂的n型Hg1‑x5Cdx5Te组分梯度过渡层G‑，轻掺杂的n型Hg1‑x6Cdx6Te组分梯度过渡层G+，重掺杂宽带隙的p型Hg1‑7Cdx7Te接触层P+。本发明能够提高量子效率，在高工作温度下实现了吸收层内热激发本征载流子的抑制，降低了俄歇复合过程从而有效降低器件的暗电流，提高了器件的工作温度。