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公开(公告)号:CN113492255A
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN202010269329.3
申请日:2020-04-08
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: B23K20/02 , B23K20/22 , B23K101/36
Abstract: 本申请公开了一种样品焊接方法,针对具有第一热膨胀系数的第一样品和具有第二热膨胀系数的第二样品的焊接,包括配制至少两种具有不同的热膨胀系数的焊料,包括具有第三热膨胀系数的第一焊料和具有第四热膨胀系数的第二焊料,第一热膨胀系数、第三热膨胀系数、第四热膨胀系数和第二热膨胀系数依次递增或递减;将第一焊料置于第一样品上,将第二焊料置于第一焊料上,将第二样品置于第二焊料上;对第一样品、第一焊料、第二焊料和第二样品加热加压,烧结为一体,然后冷却取出。上述样品焊接方法,能够消除样品之间因热膨胀系数差异引起的热应力,焊接后的器件在使用时可靠性更高,延长器件工作寿命。
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公开(公告)号:CN107946250B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN201711384461.3
申请日:2017-12-20
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片,在第一基板表面具有第一凸起,该第一凸起会直接与芯片层接触并且进行直接键合,而第一基板表面的凹陷区域会通过粘结质与芯片层进行键合。通过将第一基板直接与芯片层接触可以有效提高半导体芯片的散热性能。本发明还公开了一种半导体芯片的封装方法,通过将第一基板表面具有第一高度的第一凸起压低成具有第二高度的第一凸起可以保证该第一凸起的上表面与芯片层相接触的区域变得非常平整,即通过将第一凸起压低可以有效补偿第一基板与芯片层之间相接触的表面的粗糙度,从而得以实现所述第一凸起的上表面与芯片层之间的直接键合,通过上述封装方法可以有效提高半导体芯片的散热性能。
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公开(公告)号:CN113106403B
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN202010022664.3
申请日:2020-01-09
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种光学器件内曲面的镀膜方法,包括提供一个具有第一表面和第二表面的软基板,在所述第一表面镀膜;将所述软基板固定在外形与所述光学器件内曲面相匹配的模具表面,其中,所述第一表面与所述模具的外表面相接触;将所述模具插入所述光学器件内曲面并将所述软基板与所述光学器件内曲面键合在一起;取出所述模具。上述光学器件内曲面的镀膜方法,能够对光学器件的内部曲面进行镀膜,得到均匀光滑平整的镀层。
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公开(公告)号:CN113106403A
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN202010022664.3
申请日:2020-01-09
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种光学器件内曲面的镀膜方法,包括提供一个具有第一表面和第二表面的软基板,在所述第一表面镀膜;将所述软基板固定在外形与所述光学器件内曲面相匹配的模具表面,其中,所述第一表面与所述模具的外表面相接触;将所述模具插入所述光学器件内曲面并将所述软基板与所述光学器件内曲面键合在一起;取出所述模具。上述光学器件内曲面的镀膜方法,能够对光学器件的内部曲面进行镀膜,得到均匀光滑平整的镀层。
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