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公开(公告)号：CN110655378B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810700952.2
申请日：2018-06-29
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种柔性电路板用复合材料的制备方法，包括：A)晶须状Ba2Ti9O20粉体、硅胶与溶剂混合，烘干，得到混合物；B)将所述混合物压制成型、粉碎，得到复合颗粒；将所述复合颗粒球磨、干燥，得到粉体颗粒；C)将所述粉体颗粒压制成型、烧结，得到柔性电路板用复合材料。本发明通过将晶须状Ba2Ti9O20粉体和硅胶复合制备柔性基板材料，将聚合物的易加工性能与陶瓷的优良介电性能、热性能结合起来，更能实现电路元器件的设计及加工要求。同时，采用晶须代替其他陶瓷粉体，更能有提供柔性基板材料等介电性能及抗弯曲强度和弹性模量，更有利于柔性元器件的加工及应用。
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公开(公告)号：CN110512112B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810487722.2
申请日：2018-05-21
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种铜合金，成分为：0.2～1wt％的Mg；0.1～0.5wt％的Fe；0.1～0.5wt％的Sn；0.04～0.15wt％的Y；余量为Cu。本发明通过控制铜合金中的各种成分及成分含量，进一步的，在制备铜合金过程中经过高温挤压、固溶、冷变形和时效工艺，使这种铜合金同时具有较高的电导率、强度和耐蚀性，满足天线材料的使用要求，提高天线材料的使用寿命，而且这种铜合金材料的成本较低。本发明还提供了上述技术方案所述的铜合金的制备方法和一种天线材料。
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公开(公告)号：CN110880547B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811031055.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H10N10/852 , H10N70/00 , H10N10/855 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种热电复合材料及其制备方法，热电复合材料包括Cu2‑xZnxSe和石墨烯；所述x的取值为0.2～1。本发明提供的热电复合材料通过掺杂Zn和石墨烯，提高了热电复合材料的热电性能。实验结果表明：热电复合材料在750℃下达到最大值，不同组成的热电复合材料的ZT值为1.27～1.49。
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公开(公告)号：CN112981172B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201911273669.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。
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公开(公告)号：CN112349667B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910732429.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯/铜复合金属互连线的制备方法，包括以下步骤：A)将铜粉和石墨烯混合后进行球磨，得到混合粉体；所述石墨烯占所述混合粉体质量的1～8％；B)在保护性气氛下，将所述混合粉体进行微波热压烧结，和热等静压，得到铜/石墨烯靶材；所述微波热压烧结的真空度达到10‑4Pa以下时，开始升温，升温速率为10～20℃/min，升至500～600℃后，再以20～30℃/min的速率升至750～950℃，保温0.1～1小时；C)使用所述铜/石墨烯靶材在刻蚀后的硅基底表面进行磁控溅射镀膜，得到石墨烯/铜复合金属互连线。本发明中的方法增强了器件的散热能力和传输速率，减少电子迁移对材料性能的损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277965B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810213830.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种毫米波功率放大器，包括信号输入端，信号输出端，功率匹配单元，功率分配合成匹配单元和功率放大单元，功率分配合成匹配单元还包括：第一电阻，第二电阻和接地传输线；功率分配合成匹配单元中，第一电阻的第一端、第二电阻的第一端与接地传输线的第一端均相连，接地传输线的第二端接地，第一电阻的第二端与第二T型结构的第二端相连，第二电阻的第二端与第三T型结构的第二端相连。基于现有技术，本申请通过在电路上增加元器件展宽了带宽，没有增加电路尺寸的同时，通过增加第一电阻和第二电阻提高了支路间信号的隔离度，减小了电路损耗。本申请能够在多种工艺中实现，为毫米波功率放大器芯片的设计和制造带来巨大的效益。
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公开(公告)号：CN110277964B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810213465.3
申请日：2018-03-15
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种毫米波功率放大器，包括信号输入端，信号输出端，功率匹配单元，功率分配合成匹配单元和集成放大单元，功率匹配单元包括输出匹配单元，输出匹配单元包括第一金属层和包括串联传输线的第二金属层，第一金属层的表面蚀刻有第一U型槽、第二U型槽和第三U型槽；第二U型槽与第三U型槽位于第一U型槽内部，第一U型槽的开口分别与第二U型槽、第三U型槽的开口相对，第一U型槽的两个侧边分别与第二U型槽、第三U型槽的一个侧边相接。本申请中的输出匹配单元上的第一U型槽、第二U型槽和第三U型槽的蚀刻结构工作时可抑制谐波，能提升毫米波功率放大器的效率，由于本申请不增加电路尺寸，而且线路简单，具有较高的商业价值。
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公开(公告)号：CN112981172A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911273669.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。
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公开(公告)号：CN109995337B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910124616.2
申请日：2019-02-19
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种功率放大器和放大方法，包括：信号输入端、输入功分模块、多个功率驱动级单元、级间模块、多个功率放大级单元、输出功合模块、信号输出端。输入功分模块将信号输入端接收到的信号分成多路，分别经过各功率驱动单元放大后，传输至级间模块，级间模块将接收到的各放大后的信号分成多个频带进行多路传输，通过各功率放大级单元放大后，传输至输出功合模块合并为一路，经过信号输出端输出。级间模块结构紧凑，通过对级间模块各电路尺寸进行调节，可以分别控制各个频带对应的频点位置以及各频带的耦合强度，操作方便，功能多样。
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公开(公告)号：CN109981059B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201910134189.6
申请日：2019-02-22
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种功率放大器杂波抑制电路，包括：外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器；所述外侧半波长槽线谐振器和内侧单端闭合槽线谐振器通过刻蚀形成在功率放大器输出匹配传输线上。所述外侧半波长槽线谐振器为两端不闭合的形状，内侧单端闭合槽线谐振器为一端闭合、另一端不闭合的形状。本发明的优点有：带通功率放大器的两侧杂波都起到了抑制作用，且不会在通带两侧引入额外的杂波；电路尺寸小，不占用额外的芯片面积；采用此杂波抑制电路结构的功率放大器具有高效率、高线性度、小尺寸的优点。
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