-
公开(公告)号：CN112349667B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910732429.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯/铜复合金属互连线的制备方法，包括以下步骤：A)将铜粉和石墨烯混合后进行球磨，得到混合粉体；所述石墨烯占所述混合粉体质量的1～8％；B)在保护性气氛下，将所述混合粉体进行微波热压烧结，和热等静压，得到铜/石墨烯靶材；所述微波热压烧结的真空度达到10‑4Pa以下时，开始升温，升温速率为10～20℃/min，升至500～600℃后，再以20～30℃/min的速率升至750～950℃，保温0.1～1小时；C)使用所述铜/石墨烯靶材在刻蚀后的硅基底表面进行磁控溅射镀膜，得到石墨烯/铜复合金属互连线。本发明中的方法增强了器件的散热能力和传输速率，减少电子迁移对材料性能的损害。
-
公开(公告)号：CN112981172A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911273669.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349667A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910732429.2
申请日：2019-08-09
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯/铜复合金属互连线的制备方法，包括以下步骤：A)将铜粉和石墨烯混合后进行球磨，得到混合粉体；所述石墨烯占所述混合粉体质量的1～8％；B)在保护性气氛下，将所述混合粉体进行微波热压烧结，和热等静压，得到铜/石墨烯靶材；所述微波热压烧结的真空度达到10‑4Pa以下时，开始升温，升温速率为10～20℃/min，升至500～600℃后，再以20～30℃/min的速率升至750～950℃，保温0.1～1小时；C)使用所述铜/石墨烯靶材在刻蚀后的硅基底表面进行磁控溅射镀膜，得到石墨烯/铜复合金属互连线。本发明中的方法增强了器件的散热能力和传输速率，减少电子迁移对材料性能的损害。
-
公开(公告)号：CN110880547B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811031055.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 昆山微电子技术研究院
IPC: H10N10/852 , H10N70/00 , H10N10/855 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种热电复合材料及其制备方法，热电复合材料包括Cu2‑xZnxSe和石墨烯；所述x的取值为0.2～1。本发明提供的热电复合材料通过掺杂Zn和石墨烯，提高了热电复合材料的热电性能。实验结果表明：热电复合材料在750℃下达到最大值，不同组成的热电复合材料的ZT值为1.27～1.49。
-
公开(公告)号：CN112981172B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201911273669.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法，包括：将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体；将混合粉体冷等压成型，得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯；将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结，得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备高纯铜，通过在铜合金中添加Al、Ag成分，冷等静压成型技术制备合金素坯，再结合放电等离子烧结(SPS)技术，不仅可以再较低的温度下制备出铜铝合金材料，而且制备的芯片框架材料，纯度高，导电率高，散热性、强度高，进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。
-
公开(公告)号：CN110655378B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810700952.2
申请日：2018-06-29
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种柔性电路板用复合材料的制备方法，包括：A)晶须状Ba2Ti9O20粉体、硅胶与溶剂混合，烘干，得到混合物；B)将所述混合物压制成型、粉碎，得到复合颗粒；将所述复合颗粒球磨、干燥，得到粉体颗粒；C)将所述粉体颗粒压制成型、烧结，得到柔性电路板用复合材料。本发明通过将晶须状Ba2Ti9O20粉体和硅胶复合制备柔性基板材料，将聚合物的易加工性能与陶瓷的优良介电性能、热性能结合起来，更能实现电路元器件的设计及加工要求。同时，采用晶须代替其他陶瓷粉体，更能有提供柔性基板材料等介电性能及抗弯曲强度和弹性模量，更有利于柔性元器件的加工及应用。
-
公开(公告)号：CN110512112B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810487722.2
申请日：2018-05-21
Applicant: 昆山微电子技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种铜合金，成分为：0.2～1wt％的Mg；0.1～0.5wt％的Fe；0.1～0.5wt％的Sn；0.04～0.15wt％的Y；余量为Cu。本发明通过控制铜合金中的各种成分及成分含量，进一步的，在制备铜合金过程中经过高温挤压、固溶、冷变形和时效工艺，使这种铜合金同时具有较高的电导率、强度和耐蚀性，满足天线材料的使用要求，提高天线材料的使用寿命，而且这种铜合金材料的成本较低。本发明还提供了上述技术方案所述的铜合金的制备方法和一种天线材料。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.033 seconds)
