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公开(公告)号:CN109689586B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN201780022712.5
申请日:2017-03-13
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于通过离子注入制造减反射玻璃基板的方法,所述方法包括选择N2或O2的源气体,电离化所述源气体以便形成N或O的单电荷和多电荷离子的混合物,通过用包括在13kV与40kV之间的加速电压A加速并且将离子剂量设定为包括在5.56×1014×A/kV+4.78×1016个离子/cm2与‑2.22×1016×A/kV+1.09×1018个离子/cm2之间的值来形成N或O的单电荷和多电荷离子束。本发明进一步涉及减反射玻璃基板,所述玻璃基板包括根据此方法通过用单电荷和多电荷离子的混合物进行离子注入而处理的区域。
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公开(公告)号:CN109689586A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201780022712.5
申请日:2017-03-13
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于通过离子注入制造减反射玻璃基板的方法,所述方法包括选择N2或O2的源气体,电离化所述源气体以便形成N或O的单电荷和多电荷离子的混合物,通过用包括在13kV与40kV之间的加速电压A加速并且将离子剂量设定为包括在5.56×1014×A/kV+4.78×1016个离子/cm2与-2.22×1016×A/kV+1.09×1018个离子/cm2之间的值来形成N或O的单电荷和多电荷离子束。本发明进一步涉及减反射玻璃基板,所述玻璃基板包括根据此方法通过用单电荷和多电荷离子的混合物进行离子注入而处理的区域。
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公开(公告)号:CN109790069A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780022718.2
申请日:2017-03-13
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于通过离子注入制造可热处理的减反射玻璃基板的方法,所述方法包括选择N2、O2、或Ar的源气体,电离化所述源气体以便形成Ar、N、或O的单电荷和多电荷离子的混合物,通过用包括在15kV与60kV之间的加速电压加速并且将离子剂量设定为包括在7.5×1016与7.5×1017个离子/cm2之间的值来形成Ar、N、或O的单电荷和多电荷离子束。本发明进一步涉及可热处理的以及经热处理的减反射玻璃基板,所述玻璃基板包括根据此方法通过用单电荷和多电荷离子的混合物进行离子注入而处理的区域。
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公开(公告)号:CN109803939A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201780022716.3
申请日:2017-03-13
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于通过离子注入制造耐划伤、减反射玻璃基板的方法,所述方法包括电离化N2的源气体以便形成N的单电荷和多电荷离子的混合物,通过用包括在20kV与30kV之间的加速电压加速和包括在5×1016个离子/cm2与1017个离子/cm2之间的离子剂量来形成N的单电荷和多电荷离子束。本发明进一步涉及耐划伤、减反射玻璃基板,所述玻璃基板包括根据此方法通过用单电荷和多电荷离子的混合物进行离子注入而处理的区域。
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公开(公告)号:CN109803939B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201780022716.3
申请日:2017-03-13
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于通过离子注入制造耐划伤、减反射玻璃基板的方法,所述方法包括电离化N2的源气体以便形成N的单电荷和多电荷离子的混合物,通过用包括在20kV与30kV之间的加速电压加速和包括在5×1016个离子/cm2与1017个离子/cm2之间的离子剂量来形成N的单电荷和多电荷离子束。本发明进一步涉及耐划伤、减反射玻璃基板,所述玻璃基板包括根据此方法通过用单电荷和多电荷离子的混合物进行离子注入而处理的区域。
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公开(公告)号:CN108367975A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201680073623.9
申请日:2016-12-01
CPC classification number: C03C21/002 , C03C23/0055
Abstract: 本发明涉及一种用于化学强化的玻璃基板,其中一侧通过离子注入进行处理以便降低在化学强化时的离子交换程度。其他实施例涉及一种用于制造化学强化的具有受控曲率的玻璃基板的方法,该方法包括:提供具有相反的第一侧和第二侧的基板,其中所述基板在所述第一侧的至少部分的表面层中呈现降低在化学强化时的离子交换程度的第一离子注入分布,并且化学强化所述离子注入处理的玻璃基板。选择所述离子注入的参数,使得在化学强化时获得受控曲率。
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