公开(公告)号：CN1121711C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN97180533.4

申请日：1997-12-12

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 久野丰彦 ,  喜多村谦一 ,  田中健

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具有在300℃以下溅射铝材料(铝或者以铝为主要成分的合金)的低温溅射工序和在300℃以上溅射的高温溅射工序，从低温溅射工序得到的膜厚度(A)比从高温溅射工序得到的膜厚度(B)大，并且，设置成在高温溅射时的淀积速度在不损坏对位精度测定标记的形状的速度下，最好在200nm/分以下形成铝材料布线的方法。

公开(公告)号：CN204044343U

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201420478404.7

申请日：2014-08-22

Applicant: 旭化成微电子株式会社 ,  旭化成株式会社

Inventor： 渡边佳彦 ,  田中健 ,  石田一裕 ,  山下昌哉

IPC: G01R33/09

Abstract: 本实用新型提供了一种磁传感器，包括聚磁部、磁阻部以及用于实现磁阻部的电连接的布线，其中：所述聚磁部包括按第一图案配置的上聚磁部以及按第二图案配置的下聚磁部，所述上聚磁部和所述下聚磁部分别包括N个U或倒U字形的聚磁板，其中N等于3或3的整数倍，所述第一图案与所述第二图案相同或者呈上下镜像对称；所述磁阻部包括沿各所述U或倒U字形的聚磁板的纵向延伸部分并行设置的K个磁阻元件列，各所述磁阻元件列包括M个磁阻元件，其中K为大于或等于1的整数，M为大于或等于2的整数；以及纵向延伸的所述布线与横向延伸的所述布线经由通孔实现电连接。根据本实用新型的磁传感器，能够精度良好地检测分别朝向正交的三个方向的磁场混合而成的磁场信号。