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公开(公告)号：CN1121711C
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN97180533.4
申请日：1997-12-12
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76877
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具有在300℃以下溅射铝材料(铝或者以铝为主要成分的合金)的低温溅射工序和在300℃以上溅射的高温溅射工序，从低温溅射工序得到的膜厚度(A)比从高温溅射工序得到的膜厚度(B)大，并且，设置成在高温溅射时的淀积速度在不损坏对位精度测定标记的形状的速度下，最好在200nm/分以下形成铝材料布线的方法。
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