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公开(公告)号：CN101351902B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680049524.3
申请日：2006-12-27
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: G01R33/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1-x-ySb混合晶层(0≤x、y≤1)(2)。混合晶层(2)设置于基板(1)和InSb动作层(3)之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101601148A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780043980.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01L29/201 , G01R33/07 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/14 , Y10T428/12681
Abstract: 涉及实现具有作为InAsSb工作层的高电子迁移率和薄板阻抗的薄膜导电层的薄膜积层体和使用其的薄膜磁传感器及其制造方法。提供一种薄膜积层体，其特征在于，具有：设置在基板上的AlxIn1－xSb混晶层和与该AlxIn1－xSb层上直接接触设置的InAsxSb1－x(0＜x≤1＝薄膜导电层，上述AlxIn1－xSb混晶层是与上述InAsxSb1－x薄膜导电层相比显示高阻抗或绝缘性、或p型传导性的层，且，能带隙比上述InAsxSb1－x薄膜导电层大、晶格失配(mismatch)为+1.3％～ －0.8％。
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公开(公告)号：CN1185723C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN99810419.1
申请日：1999-08-06
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: G01R33/09 , G01R33/06 , H01L43/10 , Y10T428/11
Abstract: 在衬底(1)上边形成一种电子浓度大于2×1016/cm3且具有InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1，0≤y≤1)的组分的薄膜(2)。采用设定薄膜(2)的组分和向薄膜(2)内掺进施主原子的办法降低了电阻的温度依赖性。借助于此，提供具有小的器件电阻的温度依赖性和高灵敏度的磁传感器。
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公开(公告)号：CN101601148B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780043980.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01L29/201 , G01R33/07 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/14 , Y10T428/12681
Abstract: 涉及实现具有作为InAsSb工作层的高电子迁移率和薄板阻抗的薄膜导电层的薄膜积层体和使用其的薄膜磁传感器及其制造方法。提供一种薄膜积层体，其特征在于，具有：设置在基板上的AlxIn1-xSb混晶层和与该AlxIn1-xSb层上直接接触设置的InAsxSb1-x(0＜x≤1)薄膜导电层，上述AlxIn1-xSb混晶层是与上述InAsxSb1-x薄膜导电层相比显示高阻抗或绝缘性、或p型传导性的层，且，能带隙比上述InAsxSb1-x薄膜导电层大、晶格失配(mismatch)为+1.3％～-0.8％。
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公开(公告)号：CN101351902A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680049524.3
申请日：2006-12-27
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: G01R33/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的AlxGayIn1－x－ySb混合晶层(0≤x、y≤1)(2)。混合晶层(2)设置于基板(1)和InSb动作层(3)之间，Al与Ga的原子含有率(x+y)在5.0％至17％的范围(0.05≤x+y≤0.17)。
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