公开(公告)号：CN1185723C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN99810419.1

申请日：1999-08-06

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 柴崎一郎 ,  冈本敦 ,  冈田一朗 ,  吉田孝志

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G01R33/06

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01R33/06 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/11

Abstract: 在衬底(1)上边形成一种电子浓度大于2×1016/cm3且具有InxGa1-xAsySb1-y(0＜x≤1，0≤y≤1)的组分的薄膜(2)。采用设定薄膜(2)的组分和向薄膜(2)内掺进施主原子的办法降低了电阻的温度依赖性。借助于此，提供具有小的器件电阻的温度依赖性和高灵敏度的磁传感器。

公开(公告)号：CN1316104A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN99810419.1

申请日：1999-08-06

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 柴崎一郎 ,  冈本敦 ,  冈田一朗 ,  吉田孝志

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  G01R33/06

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01R33/06 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/11

Abstract: 在衬底(1)上边形成一种电子浓度大于2×1016/cm3且具有InxGa1－xAsySb1－y(0