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公开(公告)号:CN102027552A
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200880129181.0
申请日:2008-05-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , C22C9/00 , C22C13/00 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明的课题是提供一种改善了粘接性的稀土类永久磁铁。作为其解决方法的本发明的稀土类永久磁铁是具有叠层镀膜的稀土类永久磁铁,镀膜的最表层为膜厚0.1μm~2μm的SnCu合金镀膜,所述SnCu合金镀膜的组成为Sn 35质量%~小于55质量%、其余部分为Cu,该SnCu合金镀膜的下层具有2层以上的基底镀膜,该基底镀膜至少含有Ni镀膜及Cu镀膜,该基底镀膜中紧邻SnCu合金镀膜的下面为Ni镀膜。采用本发明的稀土类永久磁铁制作的接合结构体,在与硅酮类粘接剂的组合中具有良好的初期粘接强度,即使在耐湿性试验后粘接强度的降低也小。
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公开(公告)号:CN1386146A
公开(公告)日:2002-12-18
申请号:CN01801937.4
申请日:2001-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/026 , C25D3/38 , C25D7/001 , Y10S428/935 , Y10T428/12701 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12785 , Y10T428/12792 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944
Abstract: R-T-B系磁铁(R为至少一种包括Y的稀土元素,T为Fe或Fe和Co)具有电镀被膜,该被膜在用CuKα1线进行X射线衍射分析中,(200)面的X射线衍射峰强度I(200)和(111)面的X射线衍射峰强度之比[I(200)/I(111)]为0.1~0.45,该电镀被膜是使用含有20~150g/L硫酸铜及30~250g/L螯合剂、并且不含铜离子还原剂、pH调节至10.5~13.5的电镀液,以电镀铜方法形成的。
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公开(公告)号:CN1193115C
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN01801937.4
申请日:2001-07-04
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/026 , C25D3/38 , C25D7/001 , Y10S428/935 , Y10T428/12701 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12785 , Y10T428/12792 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944
Abstract: R-T-B系磁铁(R为至少一种包括Y的稀土元素,T为Fe或Fe和Co)具有电镀被膜,该被膜在用CuKα1线进行X射线衍射分析中,(200)面的X射线衍射峰强度I(200)和(111)面的X射线衍射峰强度之比[I(200)/I(111)]为0.1~0.45,该电镀被膜是使用含有20~150g/L硫酸铜及30~250g/L螯合剂、并且不含铜离子还原剂、pH调节至10.5~13.5的电镀液,以电镀铜方法形成的。
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公开(公告)号:CN102027552B
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN200880129181.0
申请日:2008-05-14
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , C22C9/00 , C22C13/00 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明的课题是提供一种改善了粘接性的稀土类永久磁铁。作为其解决方法的本发明的稀土类永久磁铁是具有叠层镀膜的稀土类永久磁铁,镀膜的最表层为膜厚0.1μm~2μm的SnCu合金镀膜,所述SnCu合金镀膜的组成为Sn 35质量%~小于55质量%、其余部分为Cu,该SnCu合金镀膜的下层具有2层以上的基底镀膜,该基底镀膜至少含有Ni镀膜及Cu镀膜,该基底镀膜中紧邻SnCu合金镀膜的下面为Ni镀膜。采用本发明的稀土类永久磁铁制作的接合结构体,在与硅酮类粘接剂的组合中具有良好的初期粘接强度,即使在耐湿性试验后粘接强度的降低也小。
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