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公开(公告)号:CN1328733C
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200510005121.6
申请日:2005-01-28
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/0607 , H05K1/0393 , H05K3/202 , H05K3/281 , H05K3/386
Abstract: 本发明提供无需担心在导体周围的焊料镀膜表面发生晶须的扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆。本发明的扁平电缆用导体(10)是配置于扁平电缆内部的导体,在由Cu或Cu合金构成的导体(11)的周围设置由Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜(12),在该第一镀膜(12)周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的、且最表面的第三元素的浓度为0.01~80wt%的第二镀膜(13)。
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公开(公告)号:CN1649038A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN200510005121.6
申请日:2005-01-28
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/0607 , H05K1/0393 , H05K3/202 , H05K3/281 , H05K3/386
Abstract: 本发明提供无需担心在导体周围的焊料镀膜表面发生晶须的扁平电缆用导体及其制造方法以及扁平电缆。本发明的扁平电缆用导体10是配置于扁平电缆内部的导体,在由Cu或Cu合金构成的导体11的周围设置由Sn-Cu合金镀层构成的第一镀膜12,在该第一镀膜12周围设置由选自Au、Ag、Ni、Ge、Zn或Bi的第三元素与Sn的合金构成的、且最表面的第三元素的浓度为0.01~80wt%的第二镀膜13。
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