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公开(公告)号：CN1949365A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610142349.4
申请日：2006-10-10
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 迈克尔·费尔德鲍姆 , 李邝 , 李显邦 , 尼尔·L·罗伯逊 , 查尔斯·G·西格尔第三
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3106 , G11B5/3133 , G11B5/3967 , G11B5/40 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明涉及一种用于垂直记录的具有非GMR分路的磁头以及制造用于垂直记录的具有非GMR分路的磁头的方法。设置分路用于从读传感器分流电荷。该分路与读传感器共面形成且利用非GMR材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1812150A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510118431.9
申请日：2005-10-28
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 理查德·J·康特雷拉斯 , 迈克尔·费尔德鲍姆 , 穆斯塔法·M·皮纳巴西
IPC: H01L43/12
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明提供一种用于构造磁致电阻传感器的方法，其避免了传感器限定期间掩模结构的遮蔽效应。该方法包括抗反射涂覆(ARC)及沉积在其上的光致抗蚀剂掩模的使用。形成该光致抗蚀剂掩模以覆盖所需传感器区域，留下非传感器区域暴露着。实施反应离子蚀刻以转印该光致抗蚀剂掩模的图案到下面的该ARC层上。该反应离子蚀刻(RIE)实施时具有较高的电极台板功率。此更高的电极台板功率增加了晶片的离子轰击，从而相对于化学部分增加了材料去除的物理(即机械)部分。该材料去除的物理部分的增加导致该光致抗蚀剂掩模材料相对于该耐离子研磨掩模的增加的去除速率。这避免了球根状或蘑菇形的光致抗蚀剂掩模的形成，因此避免了随后的制造工艺期间的遮蔽效应。
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公开(公告)号：CN101064111A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101865.7
申请日：2007-04-25
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , Y10T29/49021 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明提供一种用于制造垂直磁记录写头中的写极的方法，其使用金属掩模来构图主抗蚀剂并在后续构图步骤期间仅使用离子研磨。主抗蚀剂层沉积在磁写极材料之上并且金属掩模层沉积在主抗蚀剂层上。成像抗蚀剂层形成在金属掩模层上并基本以写极的所需形状光刻构图。然后在成像抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而构图下面的金属掩模层，该金属掩模层然后被用作掩模从而定义主抗蚀剂图案的形状。然后在金属掩模图案之上进行利用氧气的离子研磨从而构图下面的主抗蚀剂。然后在该主抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而形成下面的写极。
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公开(公告)号：CN101064109A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101230.7
申请日：2007-04-24
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/11 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B5/3163 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明涉及具有写极、梯形尾屏蔽件突出部、以及写极与突出部之间的金属间隙层的垂直磁记录写头。写极具有尾边缘，尾边缘具有基本定义道宽的宽度且面对突出部的前边缘但与其通过间隙层分隔开。写头通过这样的工艺制造，该工艺包括写极之上薄掩模膜的反应离子束蚀刻从而去除掩模膜并在写极边缘处加宽开口。间隙层和突出部沉积到写极之上的加宽的开口中。写极具有非磁填充材料例如氧化铝，围绕写极，但其尾边缘处除外，在该尾边缘处其接触间隙层，间隙层由与围绕的填充材料不同的材料形成。
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公开(公告)号：CN100468807C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510118431.9
申请日：2005-10-28
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
Inventor： 理查德·J·康特雷拉斯 , 迈克尔·费尔德鲍姆 , 穆斯塔法·M·皮纳巴西
IPC: H01L43/12
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明提供一种用于构造磁电阻传感器的方法，其避免了传感器限定期间掩模结构的遮蔽效应。该方法包括抗反射涂覆(ARC)及沉积在其上的光致抗蚀剂掩模的使用。形成该光致抗蚀剂掩模以覆盖所需传感器区域，留下非传感器区域暴露着。实施反应离子蚀刻以转印该光致抗蚀剂掩模的图案到下面的该ARC层上。该反应离子蚀刻(RIE)实施时具有较高的电极台板功率。此更高的电极台板功率增加了晶片的离子轰击，从而相对于化学部分增加了材料去除的物理(即机械)部分。该材料去除的物理部分的增加导致该光致抗蚀剂掩模材料相对于该耐离子研磨掩模的增加的去除速率。这避免了球根状或蘑菇形的光致抗蚀剂掩模的形成，因此避免了随后的制造工艺期间的遮蔽效应。
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公开(公告)号：CN101064113A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101871.2
申请日：2007-04-25
Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49044 , Y10T29/49126 , Y10T29/49139 , Y10T29/49153 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49169
Abstract: 本发明提供一种在诸如用于垂直磁记录的磁写头的结构上在氧化铝保护层中形成通孔的方法。该衬底例如氧化铝填充层、磁成形层等形成有其中形成有接触垫的区域。诸如磁极和或磁尾屏蔽件的结构形成在衬底上且被厚氧化铝层覆盖。氧化铝可以通过不在氧化铝层中形成空隙或接缝的高沉积速率工艺来施加。氧化铝层然后可以通过化学机械抛光CMP工艺来平坦化且然后掩模结构例如光致抗蚀剂掩模形成在氧化铝层之上。该掩模结构形成有设置于接触垫之上的开口。然后进行反应离子研磨以去除在掩模中的开口处暴露的部分氧化铝层，由此在该氧化铝层中形成通孔。然后掩模可以被顶离且可以沉积导电材料到通孔中。
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