公开(公告)号：CN101064111A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710101865.7

申请日：2007-04-25

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 唐纳德·G·艾伦 ,  阿曼达·贝尔 ,  迈克尔·费尔德鲍姆 ,  亨-钦·格思里 ,  阿伦·彭特克

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3163 ,  G11B5/112 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3146 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49039 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明提供一种用于制造垂直磁记录写头中的写极的方法，其使用金属掩模来构图主抗蚀剂并在后续构图步骤期间仅使用离子研磨。主抗蚀剂层沉积在磁写极材料之上并且金属掩模层沉积在主抗蚀剂层上。成像抗蚀剂层形成在金属掩模层上并基本以写极的所需形状光刻构图。然后在成像抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而构图下面的金属掩模层，该金属掩模层然后被用作掩模从而定义主抗蚀剂图案的形状。然后在金属掩模图案之上进行利用氧气的离子研磨从而构图下面的主抗蚀剂。然后在该主抗蚀剂图案之上进行没有反应气体的离子研磨从而形成下面的写极。

公开(公告)号：CN101178903B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200710186330.4

申请日：2007-11-12

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 阿曼达·贝尔 ,  亨-钦·格思里 ,  徐一民 ,  江明 ,  阿伦·彭泰克

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。

公开(公告)号：CN101178903A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710186330.4

申请日：2007-11-12

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 阿曼达·贝尔 ,  亨-钦·格思里 ,  徐一民 ,  江明 ,  阿伦·彭泰克

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。