公开(公告)号：CN101178903A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710186330.4

申请日：2007-11-12

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 阿曼达·贝尔 ,  亨-钦·格思里 ,  徐一民 ,  江明 ,  阿伦·彭泰克

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。

公开(公告)号：CN101178903B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200710186330.4

申请日：2007-11-12

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 阿曼达·贝尔 ,  亨-钦·格思里 ,  徐一民 ,  江明 ,  阿伦·彭泰克

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。

公开(公告)号：CN1988001A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610168679.0

申请日：2006-12-22

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 阿曼达·贝尔 ,  丹尼尔·W·比德尔 ,  李邝 ,  阿伦·彭泰克

IPC: G11B5/11 ,  G11B5/127 ,  G11B5/187 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3116 ,  G11B5/112 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163

Abstract: 本发明提供一种用于垂直记录系统中的磁头，其具有新颖的屏蔽件结构，提供对于诸如来自写头的写线圈、成形层或返回极的外部磁场的突出的磁屏蔽。该屏蔽件结构构造为具有与成形层的底或前导表面基本共面的底或前导表面，但屏蔽件结构的全部或部分不和成形层一样厚，从而具有未延伸到与成形层的顶表面相同高度(沿拖尾方向)的顶表面。使屏蔽件延伸到比成形层低的水平通过减小从写极的磁通泄漏而改善了磁性能，并且还提供了诸如在写极的制造期间的制造优势。这些制造优势包括使屏蔽件在写极的离子研磨期间被覆盖以例如氧化铝的保护层的优点。