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公开(公告)号：CN103258753A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310130895.6
申请日：2006-08-22
Applicant: 日立化成杜邦微系统股份有限公司 , 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/323 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29369 , H01L2224/29384 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/83101 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H05K3/381 , H05K2203/095 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供一种电路连接结构体，其利用追加的表面处理而在耐热性树脂膜中导入化学上稳定的官能基从而改善粘接性，即使在高温高湿环境下，在耐热性树脂膜和电路粘接构件间也呈现良好的粘接性。在电路连接结构体1A中，半导体基板2和电路构件3利用它们之间所夹持的电路粘接构件4进行粘接。另外，利用电路粘接构件4中的导电性粒子8，可使半导体基板2表面的第一电路电极5和电路构件3的第二电路电极7电连接。半导体基板2使用含有氮气、氨气等的气体，利用等离子处理而进行表面改性处理。因此，半导体基板2的耐热性树脂膜5和电路粘接构件4，即使在高温高湿环境下也可长期被牢固地粘接。
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公开(公告)号：CN101243548A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680030441.X
申请日：2006-08-22
Applicant: 日立化成杜邦微系统股份有限公司 , 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H05K3/323 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29357 , H01L2224/29369 , H01L2224/29384 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29393 , H01L2224/83101 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H05K3/381 , H05K2203/095 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供一种电路连接结构体，其利用追加的表面处理而在耐热性树脂膜中导入化学上稳定的官能基从而改善粘接性，即使在高温高湿环境下，在耐热性树脂膜和电路粘接构件间也呈现良好的粘接性。在电路连接结构体1A中，半导体基板2和电路构件3利用它们之间所夹持的电路粘接构件4进行粘接。另外，利用电路粘接构件4中的导电性粒子8，可使半导体基板2表面的第一电路电极5和电路构件3的第二电路电极7电连接。半导体基板2使用含有氮气、氨气等的气体，利用等离子处理而进行表面改性处理。因此，半导体基板2的耐热性树脂膜5和电路粘接构件4，即使在高温高湿环境下也可长期被牢固地粘接。
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公开(公告)号：CN101248520B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680030657.6
申请日：2006-08-22
Applicant: 日立化成杜邦微系统股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L2224/0554 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，尤其是表面改性处理方法，该半导体装置具有多用于使用焊锡凸块或金凸块的倒装片连接的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物，其中，所述半导体装置的制造方法用于改善在高温高湿下长期保持后的粘接性，并提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有形成在半导体元件上的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物层，所述半导体装置的制造方法的特征在于，使用含有氮、氨、肼中的至少一种的含氮原子气体，对层叠环氧系树脂化合物层的耐热性树脂膜的表面进行等离子处理。
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公开(公告)号：CN101248520A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680030657.6
申请日：2006-08-22
Applicant: 日立化成杜邦微系统股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L2224/0554 , H01L2224/05548 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，尤其是表面改性处理方法，该半导体装置具有多用于使用焊锡凸块或金凸块的倒装片连接的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物，其中，所述半导体装置的制造方法用于改善在高温高湿下长期保持后的粘接性，并提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有形成在半导体元件上的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物层，所述半导体装置的制造方法的特征在于，使用含有氮、氨、肼中的至少一种的含氮原子气体，对层叠环氧系树脂化合物层的耐热性树脂膜的表面进行等离子处理。
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