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公开(公告)号：CN100550311C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN02819886.7
申请日：2002-10-08
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 新神户电机株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B53/02
CPC classification number: B24B37/22 , B24B37/24 , B24D11/00 , B24D18/0009 , H01L21/31053
Abstract: 在平坦化半导体元件制造工序中的层间绝缘膜、BPSG膜、浅槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，通过使用在接触被研磨物的表面上有机纤维处于露出状态的研磨垫片，有效并高速进行氧化硅膜等被研磨物的凹凸平坦化，同时减少基板上研磨损伤的发生。
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公开(公告)号：CN1565048A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819886.7
申请日：2002-10-08
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 新神户电机株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , B24B53/02
CPC classification number: B24B37/22 , B24B37/24 , B24D11/00 , B24D18/0009 , H01L21/31053
Abstract: 在平坦化半导体元件制造工序中的层间绝缘膜、BPSG膜、浅槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，通过使用在接触被研磨物的表面上有机纤维处于露出状态的研磨垫片，有效并高速进行氧化硅膜等被研磨物的凹凸平坦化，同时减少基板上研磨损伤的发生。
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公开(公告)号：CN100587918C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200680042016.2
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α-取代衍生物所组成的组中的任一种N-单取代衍生物或N，N-二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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公开(公告)号：CN101622695A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006201.5
申请日：2008-02-05
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
Abstract: 本发明提供一种硅膜用CMP研磨液，其能够获得用一种研磨液实施CMP时所需的硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜的研磨速度和研磨速度比，其中该CMP用于由可以降低半导体元件制造成本、提高产品率的自对准方式(self-alignment)来形成接触插塞(contact plug)，该硅膜用CMP研磨液含有研磨粒、阳离子性表面活性剂和水，pH为6.0～8.0。
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公开(公告)号：CN101305450A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680042016.2
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的研磨剂是用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水。作为所述研磨抑制剂，优选使用：(1)以由丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α－取代衍生物所组成的组中的任一种N－单取代衍生物或N，N－二取代衍生物作为骨架的水溶性高分子、(2)聚乙二醇、(3)炔系二醇的氧化乙烯加成物、(4)具有炔键的水溶性有机化合物、(5)烷氧基化直链脂肪醇的任一种，或者(6)聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明是提供一种氧化硅用研磨剂以及使用该氧化硅用研磨剂的研磨方法，该研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1290162C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN02800353.5
申请日：2002-02-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1454 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。
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公开(公告)号：CN1457506A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN02800353.5
申请日：2002-02-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1454 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。
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公开(公告)号：CN102965025A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210434219.3
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。
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公开(公告)号：CN1746255B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200510108259.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1454 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。
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公开(公告)号：CN101560373A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910203503.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
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