公开(公告)号：CN100550311C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN02819886.7

申请日：2002-10-08

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  新神户电机株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  羽广昌信 ,  岩月保仁 ,  平冈宏一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B53/02

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24D11/00 ,  B24D18/0009 ,  H01L21/31053

Abstract: 在平坦化半导体元件制造工序中的层间绝缘膜、BPSG膜、浅槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，通过使用在接触被研磨物的表面上有机纤维处于露出状态的研磨垫片，有效并高速进行氧化硅膜等被研磨物的凹凸平坦化，同时减少基板上研磨损伤的发生。

公开(公告)号：CN1565048A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN02819886.7

申请日：2002-10-08

Applicant: 日立化成工业株式会社 ,  新神户电机株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  羽广昌信 ,  岩月保仁 ,  平冈宏一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B53/02

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24D11/00 ,  B24D18/0009 ,  H01L21/31053

Abstract: 在平坦化半导体元件制造工序中的层间绝缘膜、BPSG膜、浅槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，通过使用在接触被研磨物的表面上有机纤维处于露出状态的研磨垫片，有效并高速进行氧化硅膜等被研磨物的凹凸平坦化，同时减少基板上研磨损伤的发生。

公开(公告)号：CN1768417A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009086.9

申请日：2004-04-02

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 铃木雅雄 ,  中川宏 ,  吉田诚人 ,  西山雅也 ,  岛村泰夫 ,  平西智雄 ,  室川芳纪 ,  岩月保仁 ,  高桥克治 ,  向田政信

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明的研磨垫为，由含有有机纤维的纤维和保持该纤维的基体树脂构成，并且至少在修整处理后的被研磨物侧表面露出有机纤维。由此，可以抑制被研磨物产生细小的研磨损伤，能够在低荷重条件下进行平坦的研磨。另外，也可以采用以光学方法检测被研磨物的研磨状态的系统，在没有研磨损伤的条件下管理被研磨物的研磨终点。因此，在例如半导体装置的制造工序中，可以进行对层间绝缘膜的负荷小且平坦性也优异的研磨，容易地实施下一代的双重镶嵌法。