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公开(公告)号：CN101784684A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880103791.3
申请日：2008-08-21
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor： 卫藤雅俊
Abstract: 本发明提供一种热加工性良好且可在不损害弯曲加工性就能发挥高强度、高导电性及高导热性的Cu-Ni-P系合金所构成的电子零件用铜合金。所述铜合金，以质量比计，含有Ni：0.50％～1.00％、P：0.10％～0.25％，Ni与P的含有量之比Ni/P为4.0～5.5，且Cr为0.03％～0.45％，O为0.0050％以下，Fe、Co、Mn、Ti及Zr中一种以上的含有量合计为0.05％以下，优选为0.03％以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成，对于Ni-P系第二相粒子的大小，设长径为a，短径为b时，a为20nm以上50nm以下且长宽比a/b为1以上5以下的第二相粒子，以在铜合金中所含的全部第二相粒子的面积率计算，占80％以上。
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公开(公告)号：CN101275191B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810095181.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor： 卫藤雅俊
IPC: C22C9/06
Abstract: 本发明提供电子部件用铜合金，其包含热加工性良好、不损害弯曲加工性、能够发挥高强度、高导电性和高热传导性的Cu-Ni-P系合金。热加工性优异的高强度高导电性铜合金，所述铜合金含有Ni：0.50～1.00％(wt)、P：0.10～0.25％，Ni/P：4.0～5.5，且B：0.005～0.070％、O：0.0050％以下，Fe、Co、Mn、Ti、Zr中1种以上的含量合计为0.05％以下，余量包含Cu和不可避免的杂质，对于第2相粒子的大小，将长径记作a、短径记作b时，最终冷轧前a为20nm～50nm且第2相粒子的长宽比a/b为1～5的第2相粒子(A)以铜合金中含有的全部长径a为5nm以上的第2相粒子的面积比例C1计，占80％以上，电导率为45％IACS以上，或者铜合金，其是在包括还含有Mg：0.01～0.20％的组成的铜合金中，具有短径b为10～25nm且长宽比a/b为2～50的第2相粒子(B)，上述第2相粒子(B)与长径a为20nm～50nm且长宽比a/b小于2的第2相粒子(C)的总和占铜合金中的全部第2相粒子的面积总和的80％以上，能够以合计为0.01％～1.0％任意含有Sn和In中的1种以上的铜合金。
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公开(公告)号：CN101275191A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810095181.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor： 卫藤雅俊
IPC: C22C9/06
Abstract: 本发明提供电子部件用铜合金，其包含热加工性良好、不损害弯曲加工性、能够发挥高强度、高导电性和高热传导性的Cu－Ni－P系合金。热加工性优异的高强度高导电性铜合金，所述铜合金含有Ni：0.50～1.00％(wt)、P：0.10～0.25％，Ni/P：4.0～5.5，且B：0.005～0.070％、O：0.0050％以下，Fe、Co、Mn、Ti、Zr中1种以上的含量合计为0.05％以下，余量包含Cu和不可避免的杂质，对于第2相粒子的大小，将长径记作a、短径记作b时，最终冷轧前a为20nm～50nm且第2相粒子的长宽比a/b为1～5的第2相粒子(A)以铜合金中含有的全部长径a为5nm以上的第2相粒子的面积比例C1计，占80％以上，电导率为45％IACS以上，或者铜合金，其是在包括还含有Mg：0.01～0.20％的组成的铜合金中，具有短径b为10～25nm且长宽比a/b为2～50的第2相粒子(B)，上述第2相粒子(B)与长径a为20nm～50nm且长宽比a/b小于2的第2相粒子(C)的总和占铜合金中的全部第2相粒子的面积总和的80％以上，能够以合计为0.01％～1.0％任意含有Sn和In中的1种以上的铜合金。
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公开(公告)号：CN1162565C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN02104983.1
申请日：2002-03-29
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明提供压制成形的平面荫罩用铁镍系合金薄带以及压制成形的平面荫罩用铁镍钴系合金薄带，该铁镍钴系薄带按质量百分比地含有30%～35%的Ni、2%～8%的Co、0.01%-0.5%的Mn和总量为0.01%～0.8%的Nb和Ti中的一种或两种以及余量为铁和不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，C为0.0020%～0.0070%，Si为0.001%～0.030%，N为0.0005%～0.0050%，S为0.0015%以下，板厚为0.05mm～0.3mm，其中薄带在700℃以上退火后，在从表面去除5%以上厚度的面的(200)面X射线反射强度构成比率为80%以下，软化退火后的杨氏模量得到提高。本发明还涉及这些合金薄带的制造方法。
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公开(公告)号：CN1399000A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02104983.1
申请日：2002-03-29
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种可用于平面荫罩的压制成形的荫罩。一种压制成形的平面荫罩用铁镍钴系合金薄带，该薄带按质量百分比地含有30％～35％的Ni、2％～8％的Co、0.01％－0.5％的Mn和总量为0.01％～0.8％的Nb和Ti中的一种或两种以及余量为铁和不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，C为0.0020％～0.0070％，Si为0.001％～0.030％，N为0.0005％～0.0050％，S为0.0015％以下，板厚为0.05mm～0.3mm，其中薄带在700℃以上退火后，在从表面去除5％以上厚度的面的(200)面X射线反射强度构成比率为80％以下，软化退火后的杨氏模量得到提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1339615A
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN01122315.4
申请日：2001-06-24
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 一种强度(耐落下冲击变形性)提高的低热膨胀性的冲压成型全平面荫罩用Fe－Ni系合金的开发。所述合金维持低热膨胀性、且耐力及杨氏模量提高,其特征在于由如下物质组成:Ni:33～37%及Mn:0.001～0.1%;酌量添加的Co:0.01～2%;择自Nb:0.01～0.8%、Ta:0.01～0.8%、及Hf:0.01～0.8%的一种或一种以上元素,合计含量为0.01～0.8%;以及,余量为Fe及不可避免的杂质。较佳的情况为杂质含量限定在C:≤0.01%、Si:≤0.04%、P:≤0.01%、S:≤0.01%以及N:≤0.005%。另外提供一种采用该合金的全平面荫罩及彩色阴极射线管。
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公开(公告)号：CN101275190A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710089802.4
申请日：2007-03-30
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明提供不损害弯曲加工性、强度、导电性优异、热加工性优异的电子部件用铜合金。电子部件用高强度高导电性合金，以质量比计，含有Ni：1.0％～2.0％、P：0.10％～0.50％，Ni/P含量比为4.0～6.5，且含有Cr：0.03％～0.45％或B：0.005～0.070％，余量由Cu和不可避免的杂质构成，还可含有Sn和In中一种以上共计0.01％～1.0％，优选拉伸强度为700MPa以上、且电导率为40％IACS以上的高导电性，兼有优异的热加工性和优异的强度。
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公开(公告)号：CN101045969A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710092178.3
申请日：2007-03-30
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明提供不损害弯曲加工性、强度、导电性优异、热加工性优异的电子部件用铜合金。电子部件用铜合金，含有Ni：1.00％～2.00％、P：0.10％～0.50％、Mg：0.01％～0.20％(质量比)，Ni/P含量比为4.0～6.5，且含有Cr：0.03％～0.45％或B：0.005～0.070％，余量由Cu和不可避免的杂质构成，还可含有Sn和In中一种以上共计0.01％～1.00％，设最终冷轧前的Ni－P－Mg系析出物的长径为a、短径为b时，有至少长宽比a/b为2～50且短径b为10～25nm的析出物，上述析出物和长宽比a/b小于2且长径a为20～50nm的析出物的面积总和占铜合金中的总析出物的面积总和的80％以上，优选拉伸强度为700MPa以上、且电导率为40％IACS以上的高导电性，兼有优异的热加工性和优异的强度。
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公开(公告)号：CN1329541C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510065789.X
申请日：2005-04-18
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种弯曲加工性优良、高强度、高导电性的电子部件用铜合金。同时具有弯曲加工性优良、高强度、高导电性的半导体仪器的电子部件用高强度高导电性铜合金，按照质量比，含有Ni：1.5%以上4.0%以下、Si：0.15%以上1.0%以下，Ni和Si的含量比Ni/Si为3以上7以下，O为0.0050%以下，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，对于Ni-Si系析出物的大小，设长径为a、短径为b时，a为20nm以上200nm以下且长宽比a/b为1以上3以下的析出物，按照在铜合金中含有的总析出物的面积率计算，占80%以上。
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公开(公告)号：CN1124359C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN01122315.4
申请日：2001-06-24
Applicant: 日矿金属株式会社
Abstract: 一种强度(耐落下冲击变形性)提高的低热膨胀性的冲压成型全平面荫罩用Fe-Ni系合金的开发。所述合金维持低热膨胀性、且屈服强度及杨氏模量提高，其特征在于由如下物质组成：Ni：33～37%及Mn：0.001～0.1%；酌量添加的Co：0.01～2%；择自Nb：0.01～0.8%、Ta：0.01～0.8%、及Hf：0.01～0.8%的一种或一种以上元素，合计含量为0.01～0.8%；以及，余量为Fe及不可避免的杂质。较佳的情况为杂质含量限定在C：≤0.01%、Si：≤0.04%、P：≤0.01%、S：≤0.01%以及N：≤0.005%。另外提供一种采用该合金的全平面荫罩及彩色阴极射线管。
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