公开(公告)号：CN101275190A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710089802.4

申请日：2007-03-30

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 卫藤雅俊 ,  远藤智

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供不损害弯曲加工性、强度、导电性优异、热加工性优异的电子部件用铜合金。电子部件用高强度高导电性合金，以质量比计，含有Ni：1.0％～2.0％、P：0.10％～0.50％，Ni/P含量比为4.0～6.5，且含有Cr：0.03％～0.45％或B：0.005～0.070％，余量由Cu和不可避免的杂质构成，还可含有Sn和In中一种以上共计0.01％～1.0％，优选拉伸强度为700MPa以上、且电导率为40％IACS以上的高导电性，兼有优异的热加工性和优异的强度。

公开(公告)号：CN101045969A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710092178.3

申请日：2007-03-30

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 卫藤雅俊 ,  远藤智

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供不损害弯曲加工性、强度、导电性优异、热加工性优异的电子部件用铜合金。电子部件用铜合金，含有Ni：1.00％～2.00％、P：0.10％～0.50％、Mg：0.01％～0.20％(质量比)，Ni/P含量比为4.0～6.5，且含有Cr：0.03％～0.45％或B：0.005～0.070％，余量由Cu和不可避免的杂质构成，还可含有Sn和In中一种以上共计0.01％～1.00％，设最终冷轧前的Ni－P－Mg系析出物的长径为a、短径为b时，有至少长宽比a/b为2～50且短径b为10～25nm的析出物，上述析出物和长宽比a/b小于2且长径a为20～50nm的析出物的面积总和占铜合金中的总析出物的面积总和的80％以上，优选拉伸强度为700MPa以上、且电导率为40％IACS以上的高导电性，兼有优异的热加工性和优异的强度。

公开(公告)号：CN1329541C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200510065789.X

申请日：2005-04-18

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 卫藤雅俊 ,  大久保光浩 ,  远藤智

IPC: C22C9/06 ,  C22C1/02 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明提供一种弯曲加工性优良、高强度、高导电性的电子部件用铜合金。同时具有弯曲加工性优良、高强度、高导电性的半导体仪器的电子部件用高强度高导电性铜合金，按照质量比，含有Ni：1.5%以上4.0%以下、Si：0.15%以上1.0%以下，Ni和Si的含量比Ni/Si为3以上7以下，O为0.0050%以下，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，对于Ni-Si系析出物的大小，设长径为a、短径为b时，a为20nm以上200nm以下且长宽比a/b为1以上3以下的析出物，按照在铜合金中含有的总析出物的面积率计算，占80%以上。