公开(公告)号：CN1255860C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03142464.3

申请日：2003-06-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白石均 ,  林健一 ,  平野直人 ,  山本笃

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 用作薄膜晶体管活性区域的半导体膜，和保护半导体膜的上部氧化物膜被干蚀刻以形成活性区域。在该情况下，氟基气体用作蚀刻气体，且蚀刻气体在当作为半导体膜底膜的下部氧化物膜暴露时，由氟基气体切换为氯基气体。作为氟基气体，使用CF4和O2气体的混合气体，适当地，混合气体中CF4和O2的气体比被设定为1∶1，并用其进行干蚀刻。通过这样的蚀刻，半导体膜和上部氧化物膜两层结构的侧面被优化地形成圆锥，且防止在与两层结构交叉的膜中发生裂缝或断路。

公开(公告)号：CN1469438A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03142464.3

申请日：2003-06-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白石均 ,  林健一 ,  平野直人 ,  山本笃

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 用作薄膜晶体管活性区域的半导体膜，和保护半导体膜的上部氧化物膜被干蚀刻以形成活性区域。在该情况下，氟基气体用作蚀刻气体，且蚀刻气体在当作为半导体膜底膜的下部氧化物膜暴露时，由氟基气体切换为氯基气体。作为氟基气体，使用CF4和O2气体的混合气体，适当地，混合气体中CF4和O2的气体比被设定为1∶1，并用其进行干蚀刻。通过这样的蚀刻，半导体膜和上部氧化物膜两层结构的侧面被优化地形成圆锥，且防止在与两层结构交叉的膜中发生裂缝或断路。