公开(公告)号：CN1599079A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410059385.5

申请日：2004-06-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林健一 ,  岛本浩文 ,  松崎忠弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，包括用于将透明像素电极电连接于薄膜晶体管的上电极。该上电极至少包括第一金属层和形成在第一金属层上的第二金属层。第二金属层的反射系数低于第一金属层的且第一金属层具有不被第二金属层叠盖的区域。

公开(公告)号：CN100477273C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410059385.5

申请日：2004-06-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林健一 ,  岛本浩文 ,  松崎忠弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，包括用于将透明像素电极电连接于薄膜晶体管的上电极。该上电极至少包括第一金属层和形成在第一金属层上的第二金属层。第二金属层的反射系数低于第一金属层的且第一金属层具有不被第二金属层叠盖的区域。

公开(公告)号：CN1255860C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03142464.3

申请日：2003-06-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白石均 ,  林健一 ,  平野直人 ,  山本笃

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 用作薄膜晶体管活性区域的半导体膜，和保护半导体膜的上部氧化物膜被干蚀刻以形成活性区域。在该情况下，氟基气体用作蚀刻气体，且蚀刻气体在当作为半导体膜底膜的下部氧化物膜暴露时，由氟基气体切换为氯基气体。作为氟基气体，使用CF4和O2气体的混合气体，适当地，混合气体中CF4和O2的气体比被设定为1∶1，并用其进行干蚀刻。通过这样的蚀刻，半导体膜和上部氧化物膜两层结构的侧面被优化地形成圆锥，且防止在与两层结构交叉的膜中发生裂缝或断路。

公开(公告)号：CN1469438A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03142464.3

申请日：2003-06-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白石均 ,  林健一 ,  平野直人 ,  山本笃

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 用作薄膜晶体管活性区域的半导体膜，和保护半导体膜的上部氧化物膜被干蚀刻以形成活性区域。在该情况下，氟基气体用作蚀刻气体，且蚀刻气体在当作为半导体膜底膜的下部氧化物膜暴露时，由氟基气体切换为氯基气体。作为氟基气体，使用CF4和O2气体的混合气体，适当地，混合气体中CF4和O2的气体比被设定为1∶1，并用其进行干蚀刻。通过这样的蚀刻，半导体膜和上部氧化物膜两层结构的侧面被优化地形成圆锥，且防止在与两层结构交叉的膜中发生裂缝或断路。