公开(公告)号：CN1437055A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN02145805.7

申请日：2002-10-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 前田明寿 ,  山本笃 ,  进藤知英

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/136

Abstract: 具有反射电极(31)的一类液晶显示板趋于具有不理想的发黄的成象平面，这是由于在反射电极(31)上的取向层(34)中观察到的波长与透射率的依从关系所引起；钕含量重量比在5％－10％的铝钕合金在基底温度等于或小于摄氏170℃时沉积在层间绝缘层(32)上，用于反射电极(31)，使得表面形态由等于或小于1微米的平均间距表示；即使取向层(34)具有波长与透射率的依赖关系，但反射电极(31)使得取向层(34)中的光程相等，以致于成象平面不发黄。

公开(公告)号：CN1255860C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN03142464.3

申请日：2003-06-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白石均 ,  林健一 ,  平野直人 ,  山本笃

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 用作薄膜晶体管活性区域的半导体膜，和保护半导体膜的上部氧化物膜被干蚀刻以形成活性区域。在该情况下，氟基气体用作蚀刻气体，且蚀刻气体在当作为半导体膜底膜的下部氧化物膜暴露时，由氟基气体切换为氯基气体。作为氟基气体，使用CF4和O2气体的混合气体，适当地，混合气体中CF4和O2的气体比被设定为1∶1，并用其进行干蚀刻。通过这样的蚀刻，半导体膜和上部氧化物膜两层结构的侧面被优化地形成圆锥，且防止在与两层结构交叉的膜中发生裂缝或断路。

公开(公告)号：CN1469438A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03142464.3

申请日：2003-06-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白石均 ,  林健一 ,  平野直人 ,  山本笃

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 用作薄膜晶体管活性区域的半导体膜，和保护半导体膜的上部氧化物膜被干蚀刻以形成活性区域。在该情况下，氟基气体用作蚀刻气体，且蚀刻气体在当作为半导体膜底膜的下部氧化物膜暴露时，由氟基气体切换为氯基气体。作为氟基气体，使用CF4和O2气体的混合气体，适当地，混合气体中CF4和O2的气体比被设定为1∶1，并用其进行干蚀刻。通过这样的蚀刻，半导体膜和上部氧化物膜两层结构的侧面被优化地形成圆锥，且防止在与两层结构交叉的膜中发生裂缝或断路。