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公开(公告)号:CN1153387A
公开(公告)日:1997-07-02
申请号:CN95118686.8
申请日:1995-09-30
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G11C11/40 , G11C29/00 , H01L21/82 , H01L21/66 , H01L27/108
CPC classification number: G11C29/835 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/408 , G11C11/4087
Abstract: 半导体存储器装置中包括:多条子字线(SWL1、SWL2…),每一个都与子字线相连的多个子字解码器(SWD1、SWD2…),每一对都与若干个子字解码器相连接的多对主字线(MWLT、MWLF),以及每一个都与这些主字线对之一相连的多个主字解码器(MWD′1)。在选择模式中,主字线解码器的第一个使得主字线对的不同的对之间的电压彼此不同,而在非选择模式中,使得主字线对的不同的对上的电压彼此相同。
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公开(公告)号:CN1215211A
公开(公告)日:1999-04-28
申请号:CN98120108.3
申请日:1998-09-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C11/4097 , G11C7/06 , G11C7/18 , G11C11/4091 , G11C11/565 , G11C16/24
Abstract: 一种动态型半导体存储器件,它包括一个第一分级补偿位线、一个第二分级补偿位线、一个第一读出放大器、至少一个第二读出放大器及一个电容器和一个转移栅。该器件采用包括一个晶体管和一个电容器的存储单元,而不象传统的存储单元那样采用两个晶体管和一个电容器,它可以在一个单个的存储单元中保存两位数据,有助于显著地减小芯片面积。
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公开(公告)号:CN1096080C
公开(公告)日:2002-12-11
申请号:CN95118686.8
申请日:1995-09-30
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C29/835 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/408 , G11C11/4087
Abstract: 半导体存储器装置中包括:多条子字线(SWL1、SWL2···),每一个都与子字线相连的多个子字解码器(SWD1、SWD2···),每一对都与若干个子字解码器相连接的多对主字线(MWLT、MWLF),以及每一个都与这些主字线对之一相连的多个主字解码器(MWD′1)。在选择模式中,主字线解码器的第一个使得主字线对的不同的对之间的电压彼此不同,而在非选择模式中,使得主字线对的不同的对上的电压彼此相同。
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公开(公告)号:CN1200546A
公开(公告)日:1998-12-02
申请号:CN98101732.0
申请日:1998-04-27
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 成竹功夫
IPC: G11C11/401
CPC classification number: G11C7/1018 , G11C7/1021 , G11C7/18 , G11C7/22
Abstract: 一种半导体动态随机存取存储器件可以在一个长的短脉冲周期内把数据位从存储单元中读出或写入存储单元中,该数据位在读/写数据总线与数据自锁电路之间传输,在该数据自锁电路与主/子读出放大器之间传输,以及在该主/子读出放大器与子位线对之间传输。该半导体动态随机存取存储器件可以制成于相对较小的半导体芯片内。
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